[实用新型]一种IGBT变电阻开通电路

说明书

本实用新型公开了一种IGBT变电阻开通电路，包括N沟道场效应管Q1，所述N沟道场效应管Q1的栅极接电阻R7和电阻R8的并联接口，电阻R7的另一端接电容C2、电容C3以及增强型隔离栅极驱动器U1引脚1和8的并联接口，电阻R8的另一端接二极管D2负极和IGBT‑BUS的并联接口，二极管D2正极接二极管D1的负极、电容C4和增强型隔离栅极驱动器U1引脚2的并联接口。本IGBT变电阻开通电路，用电阻分压来实现变电阻开通，电路结构简单，不会影响驱动主电路设计，母线电压只要有变化，电阻分配的电压就会有变化，使电路反应更加灵敏，通过电阻分压方法实现IGBT变电阻开通，对于不同电压，不同功率的IGBT，通过调节分压电阻阻值就可以实现，适用于绝大多数IGBT。

技术领域

本实用新型涉及IGBT技术领域，具体为一种IGBT变电阻开通电路。

背景技术

IGBT的开通过程其实是IGBT CE两端电压下降，CE电流上升的过程，根据IGBT导通原理，一般是电流先上升到最大值后，电压才开始下降，因此在这个过程中产生了电压与电流的重叠，此重叠时间越长，耗损越大，因此有不少 IGBT驱动设计厂家为了加快IGBT寄生电容充电速度，加快IGBT开通，减小IGBT损耗，从而把IGBT的门级驱动电阻Rg设计的很小。但是如果把Rg设计的很小，容易引发门级驱动信号VGE的震荡，从而使IGBT栅极震荡开通，增加了IGBT失效的风险，IGBT门极驱动电阻过小，可能导致驱动回路发生震荡，从而损坏反并联二极管，也可能出发擎住效应损坏IGBT；IGBT门极驱动电阻过大会减小IGBT的开关速度，导致较大的开通和关断损耗。为满足设计要求，需要折中考虑IGBT门极驱动电阻。

在IGBT的辅助E级与地之间存在杂散电感Le，当Ic发生变化时，会产生 Vle＝-le*di/dt的感应电压，通过对Vle与设定基准电压Vref的比较，来控制门极开通电阻的并联，达到变电阻开通的目的。

此种方法存在诸多弊端；1、不是所有的IGBT都存在辅助E极。2、不同的IGBT杂散电感都不相同，此方法是在对IGBT杂散电感实际测量后才能进行下一环节电路设计，在实际生产中，不可能都要测量杂散电感。3、此电路过于复杂，增加了电路成本。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种IGBT变电阻开通电路，具有通过调节分压电阻实现IGBT变电阻开通就可以实现，适用于绝大多数IGBT的优点，解决了现有技术中的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种IGBT变电阻开通电路，包括N沟道场效应管Q1，所述N沟道场效应管Q1的栅极接电阻R7和电阻R8的并联接口，电阻R7的另一端接电容C2、电容C3以及增强型隔离栅极驱动器U1引脚1和8的并联接口，电阻R8的另一端接二极管D2负极和 IGBT-BUS的并联接口，二极管D2正极接二极管D1的负极、电容C4和增强型隔离栅极驱动器U1引脚2的并联接口，N沟道场效应管Q1的源极串联电阻R9 接在电阻R10和增强型隔离栅极驱动器U1引脚4的并联接口，电阻R10的另一端和串联电阻R11的增强型隔离栅极驱动器U1引脚6与IGBT-OUT相接，二极管D1的正极和电容C4的另一端接在增强型隔离栅极驱动器U1的引脚4 上，增强型隔离栅极驱动器U1的引脚15与接5V电压的电容C1与增强型隔离栅极驱动器U1并联的引脚16和9接地，增强型隔离栅极驱动器U1的引脚10接在PWMH端和接地电阻R4的并联接口上，增强型隔离栅极驱动器U1的引脚11接在PWML端和接地电阻R5的并联接口上，增强型隔离栅极驱动器U1 的引脚12接在RDL端和接5V电压的电阻R1并联接口上，增强型隔离栅极驱动器U1的引脚13接在FLT端和接5V电压的电阻R2并联接口上，增强型隔离栅极驱动器U1的引脚13接在RST端和接5V电压的电阻R3并联接口上。

优选的，所述电阻R7为变电阻，电阻R7上电压的变化控制N沟道场效应管Q1的开通关断。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果如下：