[实用新型]一种滤波器的晶圆级封装结构

说明书

一种滤波器的晶圆级封装结构，包括芯片基体，该芯片基体表面设有焊盘和IDT，其特征在于：还包括围堰、盖帽和焊接部；该围堰位于IDT外周以确定IDT区域；该盖帽贴合于围堰顶面和外侧面，并与芯片基体构成空腔保护IDT区域；该焊接部与焊盘导电连接。本实用新型的结构，能够提高封装可靠性、气密性好、体积小、降低成本。

技术领域

本实用新型涉及半导体封装领域，特别是一种滤波器的晶圆级封装结构。

背景技术

声表面波滤波器利用压电材料上的声表面波的激发、传播与接收完成其滤波特性。声表面波波长在100μm～2μm的范围，是一种对其传播表面非常敏感的机械波。为了让声波元件中的声表面波在无干扰的情况下传播，封装中的芯片表面上方要有一个空腔。

滤波器目前主要的封装技术还是用引件键合的陶瓷、金属、塑料封装形式及倒装焊封装形式，例如图1的一种声表面波滤波器封装结构，其包括基板(1)，所述基板(1)背面设置有凹槽(8)，所述凹槽(8)内正装或倒装有滤波芯片(3)，所述基板(1)正面设置有一层塑封料(6)，所述塑封料(6)与凹槽(8)之间形成一个保护空腔，所述塑封料(6)与滤波芯片(3)的芯片功能区(3a)不接触。

现有的这类滤波器封装结构存在以下缺点：

1、表面密封盖成本较高；

2、产品的可靠性对基板及密封盖平整度要求严苛，容易引起失效。

3、器件安装的准确性、信号导件的影响、焊接的角度等这一系列的不确定性便造成了器件性能的不一致性，甚至对滤波器造成破坏。

实用新型内容

本实用新型的主要目的在于克服现有技术中的上述缺陷，提出一种体积小、成本低的滤波器的晶圆级封装结构。

本实用新型采用如下技术方案：

一种滤波器的晶圆级封装结构，包括芯片基体，该芯片基体表面设有焊盘和IDT，其特征在于：还包括围堰、盖帽和焊接部；该围堰位于IDT外周以确定IDT区域；该盖帽贴合于围堰顶面和外侧面，并与芯片基体构成空腔保护IDT区域；该焊接部与焊盘导电连接。

优选的，所述围堰位于所述焊盘和所述IDT之间。

优选的，所述盖帽包括顶部和侧部，该顶部位于所述围堰顶面，该侧部位于所述围堰外侧面。

优选的，所述盖帽为聚合物材料、硅、陶瓷或玻璃材质的盖帽。

优选的，所述盖帽厚度大于1um。

优选的，所述围堰为聚合物材料、硅、陶瓷或玻璃材质的围堰。

优选的，所述围堰的高度大于1um。

优选的，所述焊接部为焊球或焊垫或金属引线。

由上述对本实用新型的描述可知，与现有技术相比，本实用新型具有如下有益效果：

1、本实用新型在IDT外周设置围堰，并将盖帽贴合于围堰顶面和外侧面，使其与芯片基体构成空腔保护IDT区域，能够提高封装可靠性、气密性好、体积小、降低成本。

2、本实用新型的盖帽设置顶部和侧部，并分别与围堰的顶面和侧面贴合，其贴合面积大，使得气密性更好；盖帽厚度和围堰高度设置成大于1um，在保护IDT区域前提下，还能确保成型稳定性。

3、本实用新型的的盖帽和围堰采用聚合物材料、硅、陶瓷或玻璃材质，可通过光刻或激光打孔工艺制作，工艺流程大幅优化，降低成本。

4、本实用新型的焊接部可采用焊球或焊垫或金属引线等，能降低制作工艺的难度、提升产品的制程良率。

5、本实用新型采用晶圆级封装结构，使得产品的每个部分都保持了质量的一致性。