[实用新型]逻辑门电路有效

专利信息
申请号: 201920171779.1 申请日: 2019-01-31
公开(公告)号: CN209462359U 公开(公告)日: 2019-10-01
发明(设计)人: 陈忠学;何山暐;赵奂 申请(专利权)人: 康希通信科技(上海)有限公司
主分类号: H03K19/20 分类号: H03K19/20
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人: 焦天雷
地址: 201203 上海市浦东新区中国(上海)自*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 连接端 逻辑门电路 本实用新型 连作 电阻连接 工作电压 驱动能力 输出端 输入端 电阻 功耗
【说明书】:

实用新型公开了一种逻辑门电路,包括:第一类型第一phemt第一连接端和第二类型第一phemt第一连接端接工作电压,第一类型第一phemt第二连接端通过电阻连接其第三连接端,第一类型第一phemt第三连接端通过电阻分别连接第二类型第一phemt第二连接端和第二类型第二phemt第一连接端,第二类型第一phemt第三连接端和第二类型第三phemt第一连接端相连作为该逻辑门电路输出端,第二类型第二phemt第二连接端和第二类型第三phemt第二连接端相连作为该逻辑门电路输入端,第二类型第二phemt第三连接端和第二类型第三phemt第三连接端连接地。本相比现有技术,本实用新型的功耗更低,本实用新型的驱动能力更强。

技术领域

本实用新型涉及集成电路领域,特别是涉及一种数字电路中的逻辑门电路。

背景技术

在数字电路中,所谓“门”就是只能实现基本逻辑关系的电路。最基本的逻辑关系是与、或、非,最基本的逻辑门是与门、或门和非门。逻辑门可以用电阻、电容、二极管、三极管等分立原件构成,成为分立元件门。集辑门是在集成电路上的基本组件。简单的逻辑门可由晶体管组成。这些晶体管的组合可以使代表两种信号的高低电平在通过它们之后产生高电平或者低电平的信号。高、低电平可以分别代表逻辑上的“真”与“假”或二进制当中的1和0,从而实现逻辑运算。常见的逻辑门包括“与”闸,“或”闸,“非”闸,“异或”闸(也称:互斥或)等等。逻辑门是组成数字系统的基本结构,通常组合使用实现更为复杂的逻辑运算。也可以将门电路的所有器件及连接导线制作在同一块半导体基片上,构成集成逻辑门电路,例如可编程逻辑器件等。

与门(英语:AND gat E)是数字逻辑中实现逻辑与的逻辑门。仅当输入均为高电压(1)时,输出才为高电压(1);若输入中至多有一个高电压时,则输出为低电压。与门的功能是得到两个二进制数的最小值,而或门的功能是得到两个二进制数的最大值。

或门(英语:OR gat E)是数字逻辑中实现逻辑或的逻辑门。只要两个输入中至少有一个为高电平(1),则输出为高电平(1);若两个输入均为低电平(0),输出才为低电平(0)。或门的功能是得到两个二进制数的最大值,而与门的功能是得到两个二进制数的最小值。

反相器(英语:Invert Er)也称非门(英语:NOT gat E),是数字逻辑中实现逻辑非的逻辑门。CMOS反相器的非理想过渡区表现使其能在模拟电路中用作A类功率放大器(如作为运算放大器的输出级)。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是提供一种基于phemt工艺的逻辑门电路。

Phemt,基于砷化镓或者氮化镓赝配高电子迁移率晶体管技术。

为解决上述技术问题,本实用新型提供的第一种逻辑门电路,形成逻辑电路非门,包括:第一类型第一phemt DM、第二类型的第一~第三phemt EM1~EM3和电阻R;

第一类型第一phemt DM第一连接端和第二类型第一phemt EM1第一连接端接工作电压VDD,第一类型第一phemt DM第二连接端通过电阻R连接其第三连接端,第一类型第一phemt DM第三连接端通过电阻R分别连接第二类型第一phemt EM1第二连接端和第二类型第二phemt EM2第一连接端,第二类型第一phemt EM1第三连接端和第二类型第三phemtEM3第一连接端相连作为该逻辑门电路输出端VOUT,第二类型第二phemt EM2第二连接端和第二类型第三phemt EM3第二连接端相连作为该逻辑门电路输入端 VIN,第二类型第二phemt EM2第三连接端和第二类型第三phemt EM3第三连接端连接地VSS。

进一步改进所述逻辑门电路,形成第二种逻辑门电路,形成逻辑电路或非门,还包括:第二类型的第四phemt EM4和第二类型第五phemt EM5;

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于康希通信科技(上海)有限公司,未经康希通信科技(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201920171779.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top