[实用新型]一种半导体发光元件有效

专利信息
申请号: 201920175567.0 申请日: 2019-01-31
公开(公告)号: CN209418543U 公开(公告)日: 2019-09-20
发明(设计)人: 蔡琳榕;朱立钦;杨力勋;曾信义 申请(专利权)人: 厦门市三安光电科技有限公司
主分类号: H01L33/48 分类号: H01L33/48;H01L33/46;H01L33/44;H01L33/40
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 361009 福建省厦*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 透明欧姆接触 半导体层 绝缘层 半导体发光元件 发光半导体 发光层 反射层 透明键 衬底 合层 绝缘层延伸 侧壁绝缘 侧面出光 层叠顺序 第二电极 第一电极 多层结构 发光效率 若干个孔 延伸穿过 透明 电接触 吸光 支撑 延伸 覆盖
【权利要求书】:

1.一种半导体发光元件,包括如下层叠顺序的多层结构:反射层、透明支撑衬底、透明键合层、第二透明欧姆接触层、绝缘层、第一透明欧姆接触层和发光半导体序列;

发光半导体序列包括第一导电类型半导体层、发光层和第二导电类型半导体层,若干个孔开启于第一导电类型半导体层侧并延伸穿过发光层至暴露第二导电类型半导体层;

第一透明欧姆接触层包括一部分覆盖第一导电类型半导体层一侧并形成电接触,包括另一部分用于安装与外部连接的并与发光半导体序列同侧的第一电极;

第二透明欧姆接触层包括一部分延伸至孔的底部与第二导电类型半导体层接触,包括另一部分用于安装与外部连接的并与第一电极同侧的第二电极;

绝缘层延伸至孔中用于第二透明欧姆接触层与孔的侧壁绝缘。

2.根据权利要求1所述的一种半导体发光元件,其特征在于:所述的透明支撑衬底为绝缘衬底。

3.根据权利要求1所述的一种半导体发光元件,其特征在于:所述的透明键合层为绝缘树脂或绝缘无机化合物。

4.根据权利要求1所述的一种半导体发光元件,其特征在于:所述的第一透明欧姆接触层或第二透明欧姆接触层为导电金属氧化物。

5.根据权利要求1所述的一种半导体发光元件,其特征在于:所述发光半导体序列为AlxGayIn1-x-yN基发光序列,x=0~1,y=0~1。

6.根据权利要求1所述的一种半导体发光元件,其特征在于:透明键合层为两层以上的无机化合物。

7.根据权利要求1所述的一种半导体发光元件,其特征在于:所述的反射层为金属或DBR。

8.一种半导体发光元件,其包括如下层叠顺序的多层结构:反射层、透明支撑衬底、透明键合层、多个分离的但电性串联的发光半导体序列,每一个分离的发光半导体序列与透明键合层之间包括如下层叠顺序的多层:第二透明欧姆接触层、绝缘层、第一透明欧姆接触层;

多个分离的发光半导体序列包括第一导电类型半导体层、发光层和第二导电类型半导体层,若干个孔开启于第一导电类型半导体层侧并延伸穿过发光层至暴露第二导电类型半导体层;

串联的第一个的发光半导体序列下方的第一透明欧姆接触层包括一部分覆盖第一导电类型半导体层一侧并形成电接触,包括另一部分安装用于外部连接并与发光半导体序列同侧的第一电极;

串联的最后一个发光半导体序列第二透明欧姆接触层包括一部分延伸至孔的底部与第二导电类型半导体层接触,包括另一部分被安装用于外部连接并与发光半导体序列同侧的第二电极;每一个发光半导体序列下方的绝缘层延伸至孔中用于第二透明欧姆接触层与孔的侧壁绝缘;其中一个的发光半导体序列通过第二透明欧姆接触层延伸至与相邻的另一个发光半导体序列的第一透明欧姆接触层接触实现串联。

9.根据权利要求8所述的一种半导体发光元件,其特征在于:所述的透明支撑衬底为绝缘衬底。

10.根据权利要求8所述的一种半导体发光元件,其特征在于:所述的透明键合层为绝缘树脂或绝缘无机化合物。

11.根据权利要求8所述的一种半导体发光元件,其特征在于:所述的第一透明欧姆接触层或第二透明欧姆接触层为导电金属氧化物。

12.根据权利要求8所述的一种半导体发光元件,其特征在于:所述发光半导体序列为AlxGayIn1-x-yN基发光序列,x=0~1,y=0~1。

13.根据权利要求8所述的一种半导体发光元件,其特征在于:透明键合层为两层以上的绝缘无机化合物。

14.根据权利要求8所述的一种半导体发光元件,其特征在于:所述的反射层为金属或DBR。

15.根据权利要求8所述的一种半导体发光元件,其特征在于:所述的一个发光半导体序列通过第二透明欧姆接触层延伸穿过绝缘层与相邻的另一个发光半导体序列的第一透明欧姆接触层接触实现串联。

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