[实用新型]整流逆变电路组件和变频器

说明书

本实用新型公开了一种整流逆变电路组件和变频器，该整流逆变电路组件用于变频器(100)中，所述整流逆变电路组件包括IGBT模块(42)和多个电容模块(51)，所述电容模块(51)包括电容叠层母排(516)和设置在所述电容叠层母排(516)上的多个电容(512)，所述IGBT模块(42)包括IGBT叠层母排(422)和设置在所述IGBT叠层母排(422)上的多个IGBT(421)，所述电容叠层母排(516)和所述IGBT叠层母排(422)相互连接并处于同一电性平面上。本实用新型的变频器通过在IGBT叠层母排和电容叠层母排之间形成无落差连接，使该两种叠层母排处于同一电性平面上，大大减少杂散电感，从而有效提高整流逆变电路组件的品质性能和变频器的工作可靠性。

技术领域

本实用新型涉及变频器技术领域。

背景技术

在变频器中用于连接IGBT、电容和二极管的母排的结构设计会影响到母排的杂散电感和发热量的大小以及其品质可靠性，而这是衡量变频器能否可靠运行的关键参数。但在现有的变频器中，用于连接IGBT、电容和二极管的母排的连接结构复杂，容易产生较大的杂散电感，从而导致变频器的工作性能不够稳定，因此现阶段有必要对母排的连接结构作进一步优化。

实用新型内容

针对现有技术的上述缺陷或不足，本实用新型提供了一种整流逆变电路组件和变频器，叠层母排之间的连接结构简洁紧凑，可有效减少杂散电感，从而有效提高整流逆变电路组件的品质性能。

为实现上述目的，本实用新型提供了一种整流逆变电路组件，用于变频器中，所述整流逆变电路组件包括IGBT模块和多个电容模块，所述电容模块包括电容叠层母排和设置在所述电容叠层母排上的多个电容，所述IGBT模块包括IGBT叠层母排和设置在所述IGBT叠层母排上的多个IGBT，所述电容叠层母排和所述IGBT叠层母排相互连接并处于同一电性平面上。

可选地，所述电容叠层母排和所述IGBT叠层母排均为矩形母排，多个所述电容叠层母排沿所述IGBT叠层母排的同一侧边依次并排设置且关于该同一侧边的侧边垂直平分线对称布置。

可选地，所述整流逆变电路组件包括连接于所述电容叠层母排的多个二极管，多个所述二极管、多个所述IGBT以及多个所述电容分别对称布置在所述侧边垂直平分线的两侧。

可选地，所述电容叠层母排的正极和负极分别与所述IGBT叠层母排的正极和负极相连，并联设置的多个所述二极管的负极连接至所述电容叠层母排。

可选地，所述IGBT叠层母排包括IGBT叠层母排第一侧边和IGBT叠层母排第二侧边，所述电容叠层母排包括电容叠层母排第一侧边和电容叠层母排第二侧边，所述IGBT叠层母排第一侧边、所述IGBT叠层母排第二侧边、所述电容叠层母排第一侧边以及所述电容叠层母排第二侧边相互平行；

其中，多个所述IGBT沿所述IGBT叠层母排第一侧边依次间隔排布，所述电容叠层母排第一侧边与所述IGBT叠层母排第二侧边之间形成固定连接，多个所述二极管沿所述电容叠层母排第二侧边依次并排设置，所述电容叠层母排上的多个所述电容呈矩阵状排列。

可选地，在沿所述IGBT叠层母排第一侧边依次排列的排列方向上，多个所述IGBT、多个所述电容叠层母排上的多个电容以及多个所述二极管的总跨度相等。

可选地，所述IGBT叠层母排的厚度为5mm～10mm。

可选地，所述电容模块包括第一电容模块和第二电容模块，所述第一电容模块和所述第二电容模块对称布置在所述侧边垂直平分线的两侧，所述电容叠层母排包括所述第一电容模块中的第一电容叠层母排和所述第二电容模块中的第二电容叠层母排；

其中，所述IGBT的个数为3个，所述第一电容叠层母排和所述第二电容叠层母排上的所述电容的个数均为6个，所述二极管的个数为9个，所述侧边垂直平分线与位于中间的所述IGBT的对称平分线重合。