[实用新型]一种侧部加热器和单晶硅铸锭装置

说明书

本实用新型提供了一种侧部加热器，用于单晶硅铸锭炉，包括多个侧部加热板和多个连接板，相邻所述侧部加热板通过所述连接板连接，多个所述侧部加热板与多个所述连接板连接成环，所述侧部加热板包括至少一个子加热板，所述子加热板包括至少一个固定板和多个加热元件，多个所述加热元件沿所述固定板的长度方向间隔设置在所述固定板上；在单晶硅铸锭过程中，可以通过改变加热元件的排布方式，提高铸锭过程中热场的均匀性，使单晶硅的生长方向更加稳定，提高单晶硅的质量和成品率。

技术领域

本实用新型涉及单晶硅铸锭技术领域，特别涉及一种侧部加热器和单晶硅铸锭装置。

背景技术

目前，单晶硅铸锭主要是利用多晶铸锭炉对硅料进行加热、熔化、结晶、退火和冷却，其核心技术在后期保证籽晶不完全熔化，从而为硅液的结晶提供基础面，使硅液沿籽晶原子排列方向进行结晶生长，形成铸造单晶硅锭。铸锭炉主要采用五面式加热，包括顶部加热和侧面加热，没有下部加热；因此，在铸锭单晶生产过程中，熔化硅料时间长，整个热场的横向温度梯度大，且随着铸锭炉热场的不断扩充，内置越来越大，整个热场的均匀性差，对铸造单晶硅生长极为不利，造成单晶硅成品率低，质量难以稳定。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型提供了一种侧部加热器，用于单晶硅铸锭炉，包括多个侧部加热板和多个连接板，侧部加热板包括至少一个子加热板，子加热板包括至少一个固定板和多个加热元件，多个加热元件沿固定板的长度方向间隔设置在固定板上；通过改变加热元件的排布方式，可以增加铸锭过程中热场的均匀性，使单晶硅的生长方向更加稳定，提高单晶硅的质量和成品率。

第一方面，本实用新型提供了一种侧部加热器，用于单晶硅铸锭炉，包括多个侧部加热板和多个连接板，相邻所述侧部加热板通过所述连接板连接，多个所述侧部加热板与多个所述连接板连接成环，所述侧部加热板包括至少一个子加热板，所述子加热板包括至少一个固定板和多个加热元件，多个所述加热元件沿所述固定板的长度方向间隔设置在所述固定板上。

在本实用新型中，加热元件的排布方式包括加热元件之间的间距、加热元件的形状结构等，均可以根据具体的铸锭过程中热场的变化进行改变，从而使得铸锭过程中热场均匀性提高，有利于单晶硅铸锭。

在本实用新型中，侧部加热器用于单晶硅铸锭炉，对其中装有硅料的坩埚进行加热，侧部加热板与连接板依次交替连接成环。环的形状可以为正方形、长方形、圆形或不规则形状，具体根据坩埚的形状进行设置。

可选的，所述子加热板包括一个所述固定板和多个所述加热元件，多个所述加热元件的中心固定在所述固定板上。

可选的，所述子加热板包括多个所述固定板和多个所述加热元件，多个所述固定板包括第一固定板和第二固定板。进一步的，多个所述加热元件的一端固定在所述第一固定板上，另一端固定在所述第二固定板上。

在本实用新型中，所述子加热板包括固定板和加热元件，固定板和加热元件有多种固定方式，侧部加热板包括至少一个子加热板，多个子加热板中固定板和加热元件的固定方式可以相同，也可以不同，对此不作限定。

在本实用新型中，加热元件的形状可以但不限于为正方体、长方体、圆柱形等。

可选的，所述加热元件为长方体。进一步的，所述加热元件的长度为 250mm-400mm，宽度为20mm-60mm，厚度为3mm-10mm。进一步的，所述加热元件的长度方向与所述固定板的长度方向垂直。进一步的，所述加热元件的长度方向与所述固定板的长度方向形成一夹角，所述夹角为锐角。

在本实用新型中，所述侧部加热板与所述连接板首尾交替连接成环，形成一容置空间。可选的，所述加热元件靠近所述容置空间的一侧。也就是说，所述固定板远离所述容置空间的一侧。

可选的，所述子加热板包括10个-30个所述加热元件。进一步的，所述子加热板包括15个-25个所述加热元件。具体的，所述子加热板可以但不限于包括17 个所述加热元件。