[实用新型]半导体芯片

权利要求书

1.一半导体芯片，其特征在于，包括一衬底、层叠于所述衬底的一N型半导体层、层叠于所述N型半导体层的一有源区、层叠于所述有源区的一P型半导体层、层叠于所述P型半导体层的一透明导电层、层叠于所述透明导电层的一绝缘层以及分别层叠于所述绝缘层的一N型电极和一P型电极，

其中所述N型电极进一步包括一N型电极焊盘、至少一N型电极扩展条以及至少一列N型电极连接针，所述N型电极焊盘在穿过所述绝缘层后被电连接于所述N型半导体层，所述N型电极扩展条自所述N型电极焊盘向所述半导体芯片的第一端部方向延伸，一列所述N型电极连接针分别延伸于所述N型电极扩展条和在穿过所述绝缘层后分别被电连接于所述N型半导体层；

其中所述P型电极进一步包括一P型电极焊盘、至少一P型电极扩展条以及至少一列P型电极连接针，所述P型电极焊盘在穿过所述绝缘层后被电连接于所述P型半导体层，所述P型电极扩展条自所述P型电极焊盘向所述半导体芯片的第二端部方向延伸，一列所述P型电极连接针分别延伸于所述P型电极扩展条和在穿过所述绝缘层后分别被电连接于所述透明导电层，其中所述P型电极的一列所述P型电极连接针与所述透明导电层的一列导通位置之间的连线为曲线。

2.根据权利要求1所述的半导体芯片，其中所述N型电极的一列所述N型电极连接针与所述N型半导体层的一列导通位置之间的连线为直线。

3.根据权利要求2所述的半导体芯片，其中所述P型电极的一列所述P型电极连接针与所述透明导电层的一列导通位置的导通面积渐变变化，相应地，所述N型电极的一列所述N型电极连接针与所述N型半导体层的一列导通位置的导通面积渐变变化。

4.如权利要求3所述的半导体芯片，其中所述P型电极的一列所述P型电极连接针与所述透明导电层的一列导通位置的导通面积自所述P型电极焊盘向所述半导体芯片的第二端部逐渐增加，相应地，所述N型电极的一列所述N型电极连接针与所述N型半导体层的一列导通位置的导通面积自所述N型电极焊盘向所述半导体芯片的所述第一端部逐渐增加。

5.根据权利要求2所述的半导体芯片，其中所述P型电极的一列所述P型电极连接针与所述透明导电层的一列导通位置中相邻两个导通位置之间的间距渐变变化，相应地，所述N型电极的一列所述N型电极连接针与所述N型半导体层的一列导通位置中相邻两个导通位置之间的间距渐变变化。

6.根据权利要求3所述的半导体芯片，其中所述P型电极的一列所述P型电极连接针与所述透明导电层的一列导通位置中相邻两个导通位置之间的间距渐变变化，相应地，所述N型电极的一列所述N型电极连接针与所述N型半导体层的一列导通位置中相邻两个导通位置之间的间距渐变变化。

7.根据权利要求4所述的半导体芯片，其中所述P型电极的一列所述P型电极连接针与所述透明导电层的一列导通位置中相邻两个导通位置之间的间距渐变变化，相应地，所述N型电极的一列所述N型电极连接针与所述N型半导体层的一列导通位置中相邻两个导通位置之间的间距渐变变化。

8.根据权利要求5所述的半导体芯片，其中所述P型电极的一列所述P型电极连接针与所述透明导电层的一列导通位置中相邻两个导通位置之间的间距自所述P型电极焊盘向所述半导体芯片的第二端部逐渐变小，相应地，所述N型电极的一列所述N型电极连接针与所述N型半导体层的一列导通位置中相邻两个导通位置之间的间距自所述N型电极焊盘向所述半导体芯片的第一端部逐渐变小。

9.根据权利要求7所述的半导体芯片，其中所述P型电极的一列所述P型电极连接针与所述透明导电层的一列导通位置中相邻两个导通位置之间的间距自所述P型电极焊盘向所述半导体芯片的第二端部逐渐变小，相应地，所述N型电极的一列所述N型电极连接针与所述N型半导体层的一列导通位置中相邻两个导通位置之间的间距自所述N型电极焊盘向所述半导体芯片的第一端部逐渐变小。