[实用新型]一种高稳定性的OLED器件有效

申请号：	201920195473.X	申请日：	2019-02-14
公开（公告）号：	CN209344129U	公开（公告）日：	2019-09-03
发明（设计）人：	鲁天星;吴海燕;朱映光;谢静;张国辉;胡永岚	申请（专利权）人：	固安翌光科技有限公司
主分类号：	H01L51/50	分类号：	H01L51/50;H01L51/56;H01L51/52
代理公司：	北京东方芊悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11591	代理人：	彭秀丽
地址：	065500 河北***	国省代码：	河北;13
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摘要：
搜索关键词：	基板第一电极辅助电极层缓冲层本实用新型封装盖板高稳定性像素区域像素电化学腐蚀挥发性气体亮度均匀性像素限定层有机发光层有效像素区包围结构玻璃基板第二电极叠加设置封装区域辅助电极金属离子密封介质像素形成侧蚀屏体渗入收缩阻挡释放
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【权利要求书】：

1.一种高稳定性的OLED器件，包括基板(1)和封装层(10)，所述基板(1)与所述封装层(10)所形成的密闭空间内设置有第一电极层、辅助电极层和像素限定层(12)，其特征在于，

所述第一电极层/辅助电极层和基板之间设置有缓冲层(6)，所述缓冲层(6)上设置有若干间隔排布的辅助电极(7)，所述第一电极层(2)覆盖所述缓冲层(6)和辅助电极(7)，所述像素限定层(12)完全覆盖所述辅助电极(7)上的第一电极层(2)且图形化有使第一电极层(2)的至少一部分露出的开口，所述像素限定层(12)和开口内覆盖有连续的有机发光层(3)和第二电极层(4)。

2.根据权利要求1所述高稳定性的OLED器件，其特征在于，所述基板(1)上划分有像素区(11)和包围所述像素区(11)的封装区，蚀刻去除位于辅助电极(7)与所述封装区之间的第一电极层(2)，位于辅助电极(7)与所述封装区之间的像素限定层(12)与所述缓冲层(6)直接接触设置。

3.根据权利要求1所述高稳定性的OLED器件，其特征在于，蚀刻去除位于辅助电极(7)一侧或两侧的第一电极层(2)，使位于该区域的像素限定层(12)与所述缓冲层(6)直接接触设置。

4.根据权利要求2或3所述高稳定性的OLED器件，其特征在于，

所述像素限定层(12)与位于每一辅助电极(7)的一侧或两侧的所述缓冲层直接接触区域的宽度为5um-10mm。

5.根据权利要求1所述高稳定性的OLED器件，其特征在于，所述辅助电极(7)为钛铝钛(TiAlTi)、铝钛(AlTi)、铝钼(AlMo)或钼铝钼(MoAlMo)结构。

6.根据权利要求1所述高稳定性的OLED器件，其特征在于，所述辅助电极(7)的Taper角度为30-70°。

7.根据权利要求1所述高稳定性的OLED器件，其特征在于，

辅助电极(7)中硬度较大的材料与所述缓冲层(6)的材料的蚀刻选择比为0.5-20；

所述像素限定层(12)的材料与所述缓冲层(6)的材料的蚀刻选择比0.5-5。

8.根据权利要求7所述高稳定性的OLED器件，其特征在于，所述辅助电极(7)的材料与所述缓冲层(6)的材料的蚀刻选择比为(5-7)。

9.根据权利要求1所述高稳定性的OLED器件，其特征在于，所述缓冲层(6)的厚度50nm-500nm。

10.根据权利要求1所述高稳定性的OLED器件，其特征在于，