[实用新型]金刚石的制备装置有效
| 申请号： | 201920197092.5 | 申请日： | 2019-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN209741306U | 公开（公告）日： | 2019-12-06 |
| 发明（设计）人： | 卢泽 | 申请（专利权）人： | 廊坊西波尔钻石技术有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/04 | 分类号： | C30B29/04;C30B25/00;C30B25/18 |
| 代理公司： | 11240 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 韩建伟<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 065300 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金刚石 石墨乳 制备 金刚石籽晶 籽晶托 涂抹 制备装置 等离子体刻蚀 本实用新型 单晶金刚石 中等离子体 表面涂抹 单元设置 浓度分布 生长过程 温度稳定 有效控制 残留量 生长 石墨 多晶 籽晶 | ||
1.一种金刚石的制备装置，其特征在于，所述制备装置包括：
石墨乳涂抹单元(10)，用于在籽晶托表面涂抹石墨乳，所述石墨乳涂抹单元(10)设置有籽晶托入口；及
金刚石制备单元(20)，所述金刚石制备单元(20)用于对放置在涂抹有所述石墨乳的籽晶托上的金刚石籽晶进行等离子体刻蚀，并金刚石籽晶生长，以制备所述金刚石。
2.根据权利要求1所述的制备装置，其特征在于，所述石墨乳涂抹单元(10)包括：
石墨乳涂抹装置(11)，所述石墨乳涂抹装置(11)设置有石墨乳进料口和所述籽晶托入口，用于得到所述涂抹有石墨乳的籽晶托；
组装装置(12)，所述组装装置(12)用于将所述金刚石籽晶放置在所述涂抹有石墨乳的籽晶托上。
3.根据权利要求2所述的制备装置，其特征在于，所述石墨乳涂抹单元(10)还包括金刚石籽晶筛选装置(13)，所述金刚石籽晶筛选装置(13)用于检测所述金刚石籽晶的厚度，并将其与设定的标准厚度进行比较，筛选出厚度差在±0.025mm的所述金刚石籽晶作为原料。
4.根据权利要求2或3所述的制备装置，其特征在于，所述石墨乳涂抹单元(10)还包括：
按压装置(14)，所述按压装置(14)用于对放置在所述涂抹有石墨乳的籽晶托上的所述金刚石籽晶进行按压；及
烘干装置(15)，所述烘干装置(15)用于将所述籽晶托上的石墨乳烘干。
5.根据权利要求2所述的制备装置，其特征在于，所述制备装置还包括石墨乳配制单元(30)，所述石墨乳配制单元(30)设置有石墨入口、稀释剂入口和石墨乳出口，所述石墨乳出口与所述石墨乳进料口连通。
6.根据权利要求5所述的制备装置，其特征在于，所述石墨乳配制单元(30)包括：
稀释剂供应装置(31)，所述稀释剂供应装置(31)设置有稀释剂供应口；
石墨乳配制装置(32)，所述石墨乳配制装置(32)设置有所述石墨入口、所述稀释剂入口以及所述石墨乳出口，所述稀释剂入口与所述稀释剂供应口连通。
7.根据权利要求1所述的制备装置，其特征在于，所述制备装置还包括清洗单元(40)，所述清洗单元(40)用于对所述金刚石籽晶和所述籽晶托进行清洗。
8.根据权利要求7所述的制备装置，其特征在于，所述清洗单元(40)包括：
清洗液供应装置(41)，所述清洗液供应装置(41)设置有清洗液供应口；
清洗装置(42)，所述清洗装置(42)设置有清洗液入口和清洗入口，所述清洗液入口和所述清洗液出口相连通，所述清洗入口用于放入所述金刚石籽晶和所述籽晶托。
9.根据权利要求8所述的制备装置，其特征在于，所述清洗单元(40)还包括用于使清洗过程在超声下进行超声装置(43)。
10.根据权利要求8所述的制备装置，其特征在于，所述清洗单元(40)还包括用于将经过清洗的所述金刚石籽晶和所述籽晶托吹干的吹干装置(44)。
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