[实用新型]碳化硅MOSFET器件有效
| 申请号： | 201920197953.X | 申请日： | 2019-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN209766429U | 公开（公告）日： | 2019-12-10 |
| 发明（设计）人： | 卓廷厚;李钊君;刘延聪 | 申请（专利权）人： | 厦门芯光润泽科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/04 |
| 代理公司： | 35227 厦门仕诚联合知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 吴圳添 |
| 地址： | 361000 福建省厦门市火炬高新区*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 阱区 碳化硅MOSFET 金属 上表面 肖特基接触 欧姆接触 外延层 沟槽表面 提升器件 漏电极 衬底 覆盖 续流 泄漏 包围 | ||
1.一种碳化硅MOSFET器件，其特征在于，所述器件自下而上包括漏电极，N+衬底和N-外延层；所述N-外延层具有第一P-阱区，所述第一P-阱区中具有P+区和N+区；
还包括：
第一金属，所述第一金属与所述P+区上表面和部分所述N+区上表面形成第一欧姆接触；
栅介质层，位于部分所述N+区、部分所述第一P-阱区和部分所述N-外延层上表面；
栅极，位于所述栅介质层上；
隔离介质层，覆盖所述栅极侧面和所述栅极上表面；
至少一个第二P-阱区，所述第二P-阱区位于相邻两个所述第一P-阱区之间，所述第二P-阱区与所述第一P-阱区之间具有第一间隔，所述第二P-阱区包围有沟槽；
第二金属，所述第二金属覆盖所述沟槽表面以形成第二欧姆接触，所述第二金属同时覆盖所述第一间隔上表面以形成肖特基接触；
第三金属，所述第三金属覆盖所述隔离介质层、所述第一金属和所述第二金属。
2.如权利要求1所述的一种碳化硅MOSFET器件，其特征在于，所述第二P-阱区的深度大于所述第一P-阱区的深度。
3.如权利要求1所述的一种碳化硅MOSFET器件，其特征在于，所述沟槽深度在0.5μm～2.5μm之间，宽度0.5μm～20μm。
4.如权利要求1所述的一种碳化硅MOSFET器件，其特征在于，所述第一P-阱区与所述第二P-阱区之间的间距在1.5μm～5μm。
5.如权利要求1所述的一种碳化硅MOSFET器件，其特征在于，相邻两个所述第一P-阱区之间具有两个以上所述第二P-阱区，相邻所述第二P-阱区之间具有第二间隔，所述第二金属同时覆盖所述第二间隔上表面以形成肖特基接触。
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