[实用新型]一种排气管路及制程设备有效

专利信息
申请号: 201920204577.2 申请日: 2019-02-15
公开(公告)号: CN209935442U 公开(公告)日: 2020-01-14
发明(设计)人: 朱小凡;陈章晏;张文福;刘家桦;叶日铨 申请(专利权)人: 德淮半导体有限公司
主分类号: B08B9/032 分类号: B08B9/032;H01J37/32
代理公司: 31295 上海思捷知识产权代理有限公司 代理人: 王宏婧
地址: 223300 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 排气管 排气管路 清洗组件 制程设备 本实用新型 制程 进气口 结晶状况 内部环境 使用寿命 出气口 化学品 内壁 清洗 残留 堵塞 保证 维护
【说明书】:

实用新型提供了一种排气管路及制程设备,该排气管路包括排气管和清洗组件;所述排气管的进气口用于与制程单元的出气口相连通;所述清洗组件设置于所述排气管内,并位于所述排气管靠近所述制程单元的一端;所述清洗组件用于对所述排气管的内壁进行清洗。本实用新型能够有效消除排气管内部的结晶状况,保证排气管内不会有化学品残留,有效延长了排气管的使用寿命,减少了排气管的维护时间,进而可以有效降低生产成本。该制程设备包括上述的排气管路,由于排气管内部不易堵塞,由此可以大大改善制程设备的内部环境。

技术领域

本实用新型涉及半导体集成电路制造技术领域,特别涉及一种排气管路及制程设备。

背景技术

在半导体加工过程中,半导体制程单元的工艺腔为半导体基片的加工提供真空环境,通过向工艺腔的腔室中供应气体,并通过射频电源将所述工艺气体激发成等离子态,对半导体基片表面进行相应的材料刻蚀、沉积、离子注入以及表面改质(例如氧化、氮化)等加工工艺。在这些加工过程中以及加工工艺结束时,供应的工艺气体通常不会被完全消耗掉,且加工过程中也会产生很多新的气体,这些气体统称为工艺残余气体,为了避免这些工艺残余气体对后续半导体基片加工的影响以及避免这些残余气体散发到半导体制造环境中造成环境污染和人员中毒危害,需要在制程单元出口处设置排气管路。

在现有技术中,只能通过制程单元工艺腔腔体内的压力侦测探头判定整体的疏通状况,但是无法判断单独的排气管路的疏通状况,因而位于制程单后端的排气管路无法得到有效管控,排气管的管壁上容易产生结晶,进而影响到制程单元的排气,从而造成制程单元环境变差,结晶经过长时间积累,会对排气管路的薄弱点造成腐蚀进而导致排气管路泄漏,或者造成排气管路堵塞而不得不宕机对排气管路进行检查、拆卸、清洗以及更换。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种排气管路及制程设备,可以解决现有技术中存在的位于制程单元后端的排气管的管壁上容易产生结晶、结晶长时间积累对排气管路的薄弱点造成腐蚀进而导致排气管路泄漏或者造成排气管路堵塞等技术问题中的一个或多个。

为解决上述技术问题,本实用新型提供一种排气管路,包括排气管和清洗组件;所述排气管的进气口用于与制程单元的出气口相连通;所述清洗组件设置于所述排气管内,并位于所述排气管靠近所述制程单元的一端;所述清洗组件用于对所述排气管的内壁进行清洗。

可选的,所述清洗组件包括进水管和清洗装置,所述进水管的出水口与所述清洗装置相连通,所述清洗装置设置于所述排气管内部,所述清洗装置用于对所述排气管的内壁进行清洗。

可选的,所述清洗装置包括清洗管,所述清洗管上设有多个开孔,所述清洗管的一端开口,另一端封闭,所述清洗管的开口端与所述进水管的出水口相连通。

可选的,所述清洗管的轴线与所述排气管的轴线位于同一直线上。

可选的,所述清洗管通过支撑组件与所述排气管的内壁相连。

可选的,所述支撑组件包括至少一组支撑架,所述支撑架的一端与所述排气管的内壁相连,所述支撑架的另一端与所述清洗管相连。

可选的,所述支撑架为三角支架,所述支撑架包括三条相互对称分布的支架。

可选的,所述排气管上设有排水口,所述排水口位于所述清洗组件远离所述制程单元的一侧,所述排气管路还包括水阻侦测管,所述水阻侦测管与所述排水口相连通,所述水阻侦测管上设有电阻率计,所述进水管上设有放水阀,所述电阻率计和所述放水阀均与一控制器相连,所述控制器用于接收所述电阻率计反馈的信号,并用于根据所述信号控制所述放水阀的开闭。

可选的,所述水阻侦测管为U型管,所述电阻率计设于所述U型管的底部。

此外,为了解决上述技术问题,本实用新型还提供了一种制程设备,所述制程设备包括上述的排气管路。

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