[实用新型]一种MOSFET驱动及保护电路

说明书

本实用新型提供了一种MOSFET驱动及保护电路，包括具有栅极、源极和漏极的MOS管，漏极连接于电源端，源极连接于地端，栅极通过驱动电路连接于驱动信号端，驱动电路包括连接在驱动信号端和栅极之间的驱动电阻，驱动电阻与驱动信号端之间具有保护电路，保护电路包括相互并联的钳位二极管和泄放电阻，且钳位二极管的两端分别连接在驱动电阻远离栅极的一端和接地端，泄放电阻的两端也分别连接在驱动电阻远离栅极的一端和接地端。本实用新型在驱动电路处提供具有钳位二极管和泄放电阻的保护电路，能够钳位栅极电压，限制栅极电压在稳压值以内；泄放电阻可以泄放栅极储存的电荷，不让电荷积累导致栅极击穿，在MOS管关断时也能有利于电荷泄放加速关断。

技术领域

本实用新型属于差分通讯技术领域，尤其涉及一种MOSFET驱动及保护电路。

背景技术

MOSFET(场效应管)是一种多数载流子导电的电极型电压控制期间，具有开关速度快，高频性能好、输入阻抗高、噪声小，驱动功率小，动态范围大、无二次击穿现象和安全工作区域宽等优点。因此，在高性能的开关电源、斩波电源及电机控制的各种交流变频电源中获得越来越多的应用。但相比于绝缘栅双极型晶体管IGBT或大功率双极限晶体管GTR等，场效应管具有较弱的承受短时过载能力，因而其实际使用受到一定的限制。

所以需要一种场效应管的驱动保护电路，以使场效应管应用于更多场合充分发挥其优点。

发明内容

本实用新型的目的是针对上述问题，提供一种MOSFET驱动及保护电路。

为达到上述目的，本实用新型提出了一种MOSFET驱动及保护电路，包括具有栅极、源极和漏极的MOS管，所述漏极连接于电源端，所述源极连接于地端，所述栅极通过驱动电路连接于驱动信号端，所述驱动电路包括连接在驱动信号端和栅极之间的驱动电阻，所述驱动电阻与驱动信号端之间具有保护电路，所述保护电路包括相互并联的钳位二极管和泄放电阻，且所述钳位二极管的两端分别连接在驱动电阻远离栅极的一端和接地端，所述泄放电阻的两端也分别连接在驱动电阻远离栅极的一端和接地端。

在上述的MOSFET驱动及保护电路中，所述的驱动电路还包括连接在驱动电阻和驱动信号端之间的放电电路。

在上述的MOSFET驱动及保护电路中，所述放电电路包括放电电阻和与所述放电电阻并联的开关二极管，且所述钳位二极管和泄放电阻的一端均连接在驱动电阻、开关二极管和放电电阻的公共端。

在上述的MOSFET驱动及保护电路中，所述泄放电阻的阻值为10K欧姆。

在上述的MOSFET驱动及保护电路中，所述驱动电阻的阻值为10欧姆。

在上述的MOSFET驱动及保护电路中，所述放电电阻的阻值为22欧姆。

在上述的MOSFET驱动及保护电路中，所述的开关二极管采用型号为1N4148WS的开关管。

与现有的技术相比，本实用新型在驱动电路处提供具有钳位二极管和泄放电阻的保护电路，钳位二极管能够钳位栅极电压，限制栅极电压在稳压值以内，当MOS管损坏时，钳位二极管也可以钳位驱动信号端的电压，从而保护驱动电路，泄放电阻可以泄放栅极储存的电荷，不让电荷积累导致栅极击穿，在MOS管关断时也能有利于电荷泄放加速关断；在驱动电阻与驱动信号端增加放电电路，通过使用相互并联的放电电阻和开关二极管能够分开设定MOS管的导通和关断时间。

附图说明

图1是本实用新型MOSFET驱动及保护电路的电路图。

图中，MOS管Q1；电源端DC；地端DGND；驱动信号端LA；驱动电阻R2；钳位二极管ZD1；泄放电阻R1；放电电阻R3；开关二极管D1。

具体实施方式