[实用新型]光子器件

权利要求书

1.一种光子器件，其特征在于，包括：

具有第一掺杂类型的第一区域，所述第一区域包括具有渐变锗浓度的硅锗区域；以及

具有第二掺杂类型的第二区域，所述第一区域和所述第二区域接触以形成垂直PN结。

2.根据权利要求1所述的光子器件，其特征在于，所述硅锗区域中的锗浓度在从所述硅锗区域的上表面延伸到衬底中的方向上减小，所述衬底包括所述第一区域和所述第二区域。

3.根据权利要求1所述的光子器件，其特征在于，所述硅锗区域与所述第二区域接触。

4.根据权利要求1所述的光子器件，其特征在于，所述第一掺杂类型为P型，并且所述第二掺杂类型为N型。

5.根据权利要求1所述的光子器件，其特征在于，所述第一区域的下部基本上由所述第一掺杂类型的硅制成。

6.根据权利要求1所述的光子器件，其特征在于，所述硅锗区域通过所述第一掺杂类型的第三硅区域电耦合到接触区。

7.根据权利要求1所述的光子器件，其特征在于，所述光子器件为光信号调制器。

8.一种光子器件，其特征在于，包括：

第一沟槽，被设置在衬底的第一区域中，所述第一区域具有第一掺杂类型；

第二沟槽，被设置在衬底的第二区域中，所述第二区域具有与所述第一掺杂类型相反的第二掺杂类型，所述第二沟槽平行于所述第一沟槽；

脊区域，被设置在所述第一沟槽和所述第二沟槽之间，所述脊区域包括所述第一区域的第一部分和所述第二区域的第二部分；以及

硅锗区域，被设置在所述脊区域的所述第一部分中，其中所述硅锗区域包括从所述脊区域的顶部表面到所述衬底中减小的锗浓度，所述硅锗区域接触所述第二区域以形成垂直PN结。

9.根据权利要求8所述的光子器件，其特征在于，所述硅锗区域比所述第一沟槽的底部表面更深地延伸到所述第一区域中。

10.根据权利要求8所述的光子器件，其特征在于，还包括绝缘体层，所述绝缘体层覆盖所述第一沟槽和所述第二沟槽，并且所述绝缘体层在所述第一沟槽和所述第二沟槽之间延伸。

11.根据权利要求10所述的光子器件，其特征在于，还包括：

所述第一掺杂类型的第三区域，所述第三区域接触所述硅锗区域。

12.根据权利要求11所述的光子器件，其特征在于，还包括：

第一过孔，延伸穿过所述绝缘体层，并且被耦合到所述第三区域；以及

第二过孔，延伸穿过所述绝缘体层，并且被耦合到所述第二区域。

13.根据权利要求11所述的光子器件，其特征在于，所述硅锗区域在所述第一沟槽的第一部分下方延伸，并且所述第三区域在所述第一沟槽的剩余的第二部分下方延伸。