[实用新型]半导体器件有效
| 申请号： | 201920222984.6 | 申请日： | 2019-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN209592023U | 公开（公告）日： | 2019-11-05 |
| 发明（设计）人： | F·G·齐格利奥利 | 申请（专利权）人： | 意法半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/482 | 分类号： | H01L23/482;H01L23/488;H01L23/49;H01L23/31;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;崔卿虎 |
| 地址： | 意大利阿格*** | 国省代码： | 意大利;IT |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体管芯 导电体 管芯焊盘 半导体器件 后表面 前表面 模制材料 侧向地 导电线 平坦 延伸 | ||
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
半导体管芯，具有前表面和平坦后表面，所述半导体管芯在所述前表面处具有多个管芯焊盘；
多个导电体，相对于所述半导体管芯侧向地布置，并且突出超过所述半导体管芯的所述平坦后表面；
模制材料，在所述半导体管芯与所述多个导电体之间；以及
多个导电线，在所述半导体管芯的多个管芯焊盘中的相应管芯焊盘与所述多个导电体中的相应导电体之间延伸。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述多个导电体延伸穿过所述模制材料的整个厚度。
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，进一步包括金属层，所述金属层在突出超过所述半导体管芯的所述平坦后表面的所述多个导电体中的每个导电体上。
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，在所述多个导电体中的每个导电体上的所述金属层邻接所述模制材料的表面。
5.一种半导体器件，其特征在于，包括：
半导体管芯，具有前表面和后表面，所述前表面是具有接合焊盘的有源表面，所述后表面形成平面；
导电体，相对于所述半导体管芯侧向地布置，并且突出超过由所述半导体管芯的所述后表面形成的所述平面；
激光直接结构化模制材料，在所述半导体管芯的所述前表面之上，并且在所述半导体管芯与所述导电体之间；以及
导电线，在所述激光直接结构化模制材料上，将所述半导体管芯的接合焊盘耦合到所述导电体。
6.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，所述导电体具有第一表面和第二表面，其中所述第一表面耦合到所述导电线，其中所述第二表面延伸超过由所述半导体管芯的所述后表面形成的所述平面。
7.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述导电体的所述第一表面与所述激光直接结构化模制材料的表面共面。
8.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，进一步包括在所述导电线的所述第二表面之上的金属层。
9.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，进一步包括在所述导电线、所述导电体和所述半导体管芯的所述接合焊盘之上的模制材料。
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