[实用新型]一种霍尔元件

权利要求书

1.一种霍尔元件，包括依次层叠设置的半绝缘衬底层（1）、缓冲层（2）、功能层（3）和金属电极层（4），其特征在于：所述霍尔元件还包括沿着远离所述功能层（3）的方向依次叠设于所述功能层（3）上的钝化层（5）和保护层（6），所述金属电极层（4）沿着远离所述功能层（3）的方向延伸并依次穿过所述钝化层（5）和所述保护层（6）。

2.根据权利要求1所述的一种霍尔元件，其特征在于：所述钝化层（5）为铟铝镓磷钝化层。

3.根据权利要求1所述的一种霍尔元件，其特征在于：所述钝化层（5）的厚度为3 埃~1微米。

4.根据权利要求1所述的一种霍尔元件，其特征在于：所述保护层（6）包括贴设于所述钝化层（5）上方的第一保护层（6a）、围设于所述钝化层（5）和所述功能层（3）周侧部的第二保护层（6b）。

5.根据权利要求4所述的一种霍尔元件，其特征在于：所述第一保护层（6a）和所述第二保护层（6b）相垂直设置。

6.根据权利要求4所述的一种霍尔元件，其特征在于：所述第一保护层（6a）包括从下至上依次设于所述钝化层上的第一二氧化硅层（6a1）和第一氮化硅层（6a2）。

7.根据权利要求6所述的一种霍尔元件，其特征在于：所述第二保护层（6b）包括沿着远离所述钝化层（5）侧壁的方向依次设置的第二二氧化硅层（6b1）和第二氮化硅层（6b2）。

8.根据权利要求7所述的一种霍尔元件，其特征在于：所述第一二氧化硅层（6a1）的厚度为0微米~1微米，所述第二二氧化硅层（6b1）的厚度为0微米~1微米。

9.根据权利要求7所述的一种霍尔元件，其特征在于：所述第一氮化硅层（6a2）的厚度为3埃~1微米，所述第二氮化硅层（6b2）的厚度为3埃~1微米。

10.根据权利要求1所述的一种霍尔元件，其特征在于：所述功能层（3）的厚度为10纳米~1微米。