[实用新型]一种集成LED光源的表面量子点湿度传感器有效
| 申请号： | 201920230386.3 | 申请日： | 2019-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN209841689U | 公开（公告）日： | 2019-12-24 |
| 发明（设计）人： | 王国东;谢东垒;杨莹丽;刘小莲;朱红伟;王家森 | 申请（专利权）人： | 河南理工大学;王家森 |
| 主分类号： | G01N21/64 | 分类号： | G01N21/64;G01N27/12;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 11588 北京华仁联合知识产权代理有限公司 | 代理人： | 苏雪雪 |
| 地址： | 454000 河南省焦作*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 上表面 量子点层 量子点 电极 传感层 钝化层 下电极 引线孔 传感 集成LED光源 本实用新型 湿度传感器 沉积 衬底 掩埋 | ||
1.一种集成LED光源的表面量子点湿度传感器，其特征在于，包括：
GaAs衬底上面设置的LED光源层；所述LED光源层包括：在GaAs衬底(01)上从下到上依次沉积的n型AlGaInP下限制层(02)、AIGaInP多量子阱层(03)、p型AIGaInP上限制层(04)和p型GaP电流扩展层(05)；
所述LED光源层上设置的GaAs层；
所述GaAs层上设置的表面量子点湿度传感层；所述表面量子点湿度传感层包括：在所述GaAs层(06)表面上从下到上依次沉积的n型GaAs缓冲层(07)、N层InGaAs掩埋量子点层(08)和InGaAs表面量子点层(14)；N为大于或者等于1的正整数；且在所述n型GaAs缓冲层(07)上形成有第一台阶；在所述p型GaP电流扩展层(05)上形成有第二台阶；在所述n型AlGaInP下限制层(02)上形成有第三台阶；
在所述InGaAs表面量子点层(14)的上表面一端、所述第一台阶的上表面及两侧、第二台阶的上表面及两侧、所述第三台阶的上表面及两侧，设置有钝化层(13)；
在所述钝化层(13)上设置有四个引线孔，并在四个所述引线孔中分别设置有传感上电极(11)、传感下电极(12)、LED上电极(10)和LED下电极(9)。
2.根据权利要求1所述的集成LED光源的表面量子点湿度传感器，其特征在于，所述N层InGaAs掩埋量子点层(08)，每一层的厚度不大于20nm。
3.根据权利要求1所述的集成LED光源的表面量子点湿度传感器，其特征在于，所述N层InGaAs掩埋量子点层(08)的每层InGaAs掩埋量子点层具体为：在InGaAs量子点层上覆盖有一层GaAs。
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