[实用新型]半导体桥智能驱动电路

权利要求书

1.半导体桥智能驱动电路，其特征在于，半导体桥智能驱动电路控制桥塞的发火系统放电，从而引燃桥塞内的火药，该半导体桥智能驱动电路包括：

控制桥塞放电的功能混合电路；

向功能混合电路发送信号的处理器；

与外界通信并向处理器发送指令的收发器；

所述收发器、处理器、功能混合电路依序电连接，所述收发器、处理器、功能混合电路共同封装于一个外壳的密封腔体内。

2.根据权利要求1所述的半导体桥智能驱动电路，其特征在于，所述功能混合电路集成在电路芯片上，采用多芯片组装技术将收发器、处理器、电路芯片封装在一个高温共烧陶瓷的密闭腔体内。

3.根据权利要求1或2所述的半导体桥智能驱动电路，其特征在于，所述功能混合电路包括：

驱动电路，储能电容通过驱动电路给桥塞放电，所述驱动电路与桥塞电连接；

充电电路，给储能电容充电；

慢放电电路，给储能电容放电；

储能电容，该储能电容的负极接地；

所述桥塞、充电电路、慢放电电路同时与储能电容的正极电连接，所述驱动电路、充电电路、慢放电电路同时与处理器电连接。

4.根据权利要求3所述的半导体桥智能驱动电路，其特征在于，所述功能混合电路还包括：与处理器电连接的电压检测电路，该电压检测电路实时监测功能混合电路的电压。

5.根据权利要求3所述的半导体桥智能驱动电路，其特征在于，所述驱动电路包括三极管Q7、三极管Q8，所述三极管Q7的基极接处理器，三极管Q7的集电极接入电源，三极管Q7与三极管Q8耦合，三极管Q8的集电极连接桥塞的另一端，三极管Q8的发射极接地。

6.根据权利要求5所述的半导体桥智能驱动电路，其特征在于，所述三极管Q7和三极管Q8均为NPN型三极管，所述三极管Q7的发射极接三极管Q8的基极。

7.根据权利要求5所述的半导体桥智能驱动电路，其特征在于，所述驱动电路还包括电阻R24，所述电阻R24的一端接三极管Q7的基极，另一端接地。

8.根据权利要求3所述的半导体桥智能驱动电路，其特征在于，所述充电电路包括三极管Q4，该三极管Q4的基极接处理器，三极管Q4的发射极接电源，三极管Q4的集电极通过电阻R9接储能电容的正极。

9.根据权利要求3所述的半导体桥智能驱动电路，其特征在于，所述慢放电电路包括三极管Q5，所述三极管Q5的集电极接储能电容的正极、发射极接地、基极接处理器。

10.根据权利要求1所述的半导体桥智能驱动电路，其特征在于，该外壳上具有多个引脚，外壳上的引脚与所述功能混合电路、处理器、收发器的接点通过导线连接，外壳上的引脚还通过导线与外界器件电连接。