[实用新型]MOSFET 终端结构有效
| 申请号： | 201920234661.9 | 申请日： | 2019-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN209461470U | 公开（公告）日： | 2019-10-01 |
| 发明（设计）人： | 罗志云;王飞;潘梦瑜 | 申请（专利权）人： | 恒泰柯半导体（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海宏京知识产权代理事务所(普通合伙) 31297 | 代理人： | 赵霞 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区中国（*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 终端结构 介质层 第一导电类型 本实用新型 源区 源极多晶硅层 击穿电压 栅极多晶硅层 绝缘隔离层 导电类型 导通电阻 栅氧化层 漂移层 外延层 终端区 侧壁 衬底 体区 优化 | ||
1.一种MOSFET终端结构，其特征在于，包括：
第一导电类型的衬底；
第一导电类型的外延层，位于所述第一导电类型的衬底的上表面；所述第一导电类型的外延层及所述第一导电类型的衬底包括沿横向分布的有源区及终端区；
第一源极多晶硅层，位于所述第一导电类型的外延层内，且位于所述终端区内；
第一介质层，位于所述第一源极多晶硅层与所述第一导电类型的外延层之间；
第二源极多晶硅层，位于所述第一导电类型的外延层内，且位于所述有源区内；
第二介质层，位于所述第二源极多晶硅层与所述第一导电类型的外延层之间，所述第二介质层的厚度小于所述第一介质层的厚度；
栅极多晶硅层，位于所述第一导电类型的外延层内，且位于所述第二源极多晶硅层的上方；
栅氧化层，位于所述第二源极多晶硅层与所述第一导电类型的外延层之间；
绝缘隔离层，位于所述第一导电类型的外延层内，且位于所述栅极多晶硅层与所述第二源极多晶硅层之间；
第二导电类型的第一体区，位于所述栅氧化层的外围；
第一导电类型的源区，位于所述栅氧化层的外围，且位于所述第二导电类型的第一体区上方。
2.根据权利要求1所述的MOSFET终端结构，其特征在于：所述栅氧化层的厚度小于所述第一介质层的厚度。
3.根据权利要求1所述的MOSFET终端结构，其特征在于：所述第一导电类型包括N型，且所述第二导电类型包括P型。
4.根据权利要求1所述的MOSFET终端结构，其特征在于：所述第一导电类型包括P型，且所述第二导电类型包括N型。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的MOSFET终端结构，其特征在于：所述MOSFET终端结构还包括：
栅极电极，与所述栅极多晶硅层相连接；
源极电极，与所述第二导电类型的第一体区、所述第一源极多晶硅层及所述第二源极多晶硅层相连接；
漏极电极，位于所述第一导电类型的衬底的下表面。
6.根据权利要求5所述的MOSFET终端结构，其特征在于：所述第一源极多晶硅层及与包覆于所述第一源极多晶硅层外壁的所述第一介质层构成终端保护器件，所述MOSFET终端结构包括至少一第二导电类型的第二体区及多个所述终端保护器件；多个所述终端保护器件于所述终端区内间隔排布，所述第二导电类型的第二体区位于相邻所述终端保护器件之间；所述源极电极还与所述第二导电类型的第二体区相连接。
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