[实用新型]一种微波多路径反馈宽带低噪声放大器有效
| 申请号： | 201920234694.3 | 申请日： | 2019-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN209358503U | 公开（公告）日： | 2019-09-06 |
| 发明（设计）人： | 石伟屹 | 申请（专利权）人： | 成都仙童科技有限公司 |
| 主分类号： | H03F1/26 | 分类号： | H03F1/26 |
| 代理公司： | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人： | 戴勇灵 |
| 地址： | 610000 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 宽带低噪声放大器 反馈网络 分配网络 多路径 晶体管 传输线 微波 电感 电容 衬底 电阻 反馈 元器件 半导体 半导体材料 微波单片集成 本实用新型 宽带低噪声 放大功能 技术制作 制作 | ||
1.一种微波多路径反馈宽带低噪声放大器，其特征在于，包括第一晶体管Q1、第二晶体管Q2、第一反馈网络Z1和第二反馈网络Z2，其中，所述第一反馈网络Z1与所述第一晶体管Q1构成第一并联反馈放大结构，所述第二反馈网络Z2与所述第一晶体管Q1和所述第二晶体管Q2构成级间反馈结构。
2.根据权利要求1所述的一种微波多路径反馈宽带低噪声放大器，其特征在于，还包括第三反馈网络Z3,所述第三反馈网络Z3与所述第一晶体管Q1构成串联反馈放大结构。
3.根据权利要求2所述的一种微波多路径反馈宽带低噪声放大器，其特征在于，还包括第四反馈网络Z4，所述第四反馈网络Z4与所述第二晶体管Q2构成第二并联反馈放大结构。
4.根据权利要求1所述的一种微波多路径反馈宽带低噪声放大器，其特征在于，还包括第一分配网络T1、第二分配网络T2和第三分配网络T3，其中所述第一分配网络T1与所述第三分配网络T3形成并联结构，所述第二分配网络T2与所述第一分配网络T1和所述第三分配网络T3形成的并联结构串联。
5.根据权利要求1所述的一种微波多路径反馈宽带低噪声放大器，其特征在于，还包括第一分配网络T1、第二分配网络T2和第四分配网络T4，其中所述第二分配网络T2与所述第四分配网络T4形成并联结构，所述第二分配网络T2与所述第二分配网络T2和所述第四分配网络T4形成的并联结构串联。
6.根据权利要求1所述的一种微波多路径反馈宽带低噪声放大器，其特征在于，还包括第一分配网络T1、第二分配网络T2、第三分配网络T3和第四分配网络T4，其中所述第一分配网络T1与所述第三分配网络T3形成第一并联结构，所述第二分配网络T2与所述第四分配网络T4形成第二并联结构，所述第一并联结构与所述第二并联结构串联。
7.根据权利要求3所述的一种微波多路径反馈宽带低噪声放大器，其特征在于，所述第一反馈网络Z1由制作在半导体衬底上的电阻、电容、电感和传输线元器件单一或混合组成，所述第二反馈网络Z2由制作在半导体衬底上的电阻、电容、电感和传输线元器件单一或混合组成，所述第三反馈网络Z3由制作在半导体衬底上的电阻、电容、电感和传输线元器件单一或混合组成，所述第四反馈网络Z4由制作在半导体衬底上的电阻、电容、电感和传输线元器件单一或混合组成。
8.根据权利要求6所述的一种微波多路径反馈宽带低噪声放大器，其特征在于，所述第一分配网络T1由制作在半导体衬底上的电阻、电容、电感和传输线元器件单一或混合组成，所述第二分配网络T2由制作在半导体衬底上的电阻、电容、电感和传输线元器件单一或混合组成，所述第三分配网络T3由制作在半导体衬底上的电阻、电容、电感和传输线元器件单一或混合组成，所述第四分配网络T4由制作在半导体衬底上的电阻、电容、电感和传输线元器件单一或混合组成。
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