[实用新型]48V半导体制冷片有效
申请号: | 201920237721.2 | 申请日: | 2019-02-25 |
公开(公告)号: | CN209282236U | 公开(公告)日: | 2019-08-20 |
发明(设计)人: | 刘军涛;李痛快;陈言武 | 申请(专利权)人: | 畅诺冷热控制技术(上海)有限公司;湖北东帝纺织科技有限公司 |
主分类号: | H01L35/32 | 分类号: | H01L35/32;H01L35/08;H01L35/10 |
代理公司: | 北京细软智谷知识产权代理有限责任公司 11471 | 代理人: | 陈晓辉 |
地址: | 200120 上海市浦东新区中国*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体制冷片 电偶 绝缘导热板 串联 本实用新型 高电压 下层 上层 电子元器件 正负极导线 导体电极 固定设置 市场空白 影响整车 上端 制冷 占用 填补 应用 | ||
1.一种48V半导体制冷片,其特征在于,包括:
上层绝缘导热板和下层绝缘导热板;
P-N电偶对,其引出有正负极导线,且所述P-N电偶对固定设置于所述上层绝缘导热板和所述下层绝缘导热板之间,所述P-N电偶对包括P型半导体元件和N型半导体元件,每个所述P-N电偶对的P型半导体元件和N型半导体元件的上端通过导体电极连接,且每个所述P-N电偶对的P型半导体元件和N型半导体元件的下端均通过导体电极与相邻所述P-N电偶对的相应半导体元件连接;
所述P-N电偶对的数量为575-590对。
2.根据权利要求1所述的48V半导体制冷片,其特征在于,所述P型半导体元件与所述导体电极之间以及所述N型半导体元件与所述导体电极之间均设置有铋钎焊过渡层。
3.根据权利要求1所述的48V半导体制冷片,其特征在于,多个所述P-N电偶对在所述上层绝缘导热板和所述下层绝缘导热板之间呈矩阵排列。
4.根据权利要求1或2所述的48V半导体制冷片,其特征在于,所述上层绝缘导热板和所述下层绝缘导热板之间的边侧填充有绝缘材料层进行封边。
5.根据权利要求4所述的48V半导体制冷片,其特征在于,所述绝缘材料层为环氧树脂层。
6.根据权利要求1或2所述的48V半导体制冷片,其特征在于,所述上层绝缘导热板和所述下层绝缘导热板均为陶瓷板。
7.根据权利要求6所述的48V半导体制冷片,其特征在于,所述陶瓷板的外侧涂覆有石墨烯导热膜。
8.根据权利要求1所述的48V半导体制冷片,其特征在于,所述P-N电偶对的数量为575对。
9.根据权利要求1所述的48V半导体制冷片,其特征在于,所述P型半导体元件和所述N型半导体元件的材料为碲化铋为基体的三元固溶体合金。
10.根据权利要求1所述的48V半导体制冷片,其特征在于,所述P型半导体元件和所述N型半导体元件呈圆柱状或方柱状。
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