[实用新型]一种带有过滤装置的碱抛槽有效
申请号: | 201920241035.2 | 申请日: | 2019-02-26 |
公开(公告)号: | CN209487527U | 公开(公告)日: | 2019-10-11 |
发明(设计)人: | 孙鹏;郑守春;张良;唐骏;席珍强;余刚 | 申请(专利权)人: | 镇江仁德新能源科技有限公司;镇江荣德新能源科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;C30B33/10;B01D29/11 |
代理公司: | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人: | 陈国强 |
地址: | 212200 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 主槽 过滤装置 过滤 循环管 本实用新型 过滤芯 补液 脏污 循环电机 增压 补液口 过滤区 过滤箱 分隔 伸入 阻隔 流出 | ||
本实用新型公开了一种带有过滤装置的碱抛槽,包括碱抛槽主槽,所述碱抛槽主槽外通过循环管与碱抛槽主槽内形成回路,所述循环管上安装有过滤装置,所述过滤装置包括过滤箱和伸入过滤箱内的过滤芯,所述碱抛槽主槽内的药液经循环管进入过滤箱内,药液由过滤芯过滤,过滤后的药液再经循环管重新进入碱抛槽主槽内,所述碱抛槽主槽还设置有补液口;本实用新型通过在碱抛槽主槽外加设一个过滤装置,将脏污和胶体生成物阻隔在过滤箱内,同时将过滤区和补液区分隔开,避免新加药液与脏污反应影响补液效果;碱抛槽主槽内的药液从主槽内流出,经循环电机增压后,打入过滤装置,经过过滤后再流入主槽。
技术领域
本发明属于硅片制备技术领域,特别涉及一种带有过滤装置的碱抛槽。
背景技术
太阳能电池技术的核心一直是降低成本和提升效率,制绒工艺一方面可以延长光在硅表面的光程,另一方面可以减少反射损失,从而提升效率。单晶硅片在碱制绒工艺下,反射率11%,而多晶硅片目前常用的酸制绒处理后,反射率16%,反射率偏高导致对光吸收效果变差,进而影响效率。近年来,金属催化化学腐蚀法(MCCE)作为一种新的制绒技术正在迅速得到大规模应用,该方法通过金属离子催化与硅片接触点的刻蚀速率,在硅片表面形成深坑。从而增大比表面积,形成陷光结构,降低反射率,提升转化效率。
MCCE制绒过程大致为1.碱抛、2.沉银、3.挖孔、4.扩孔;其中:碱抛作用为出去金刚线硅片损伤层以及清洗油污杂质,碱抛的优良程度直接关系到后续镀银挖孔的效果,影响整个制绒环节的最终良率。而碱抛过程中由于金刚线硅片表面带有的脏污不断累积,溶液中杂质含量不断提高,影响碱抛质量,此外硅与碱反应后生成的硅酸盐化合物为絮状胶体,容易粘附在硅片表面,该物质也会影响碱抛反应,因此将碱抛过程中这些杂质及时去除可以有效提升碱抛药液寿命,改善碱抛效果。
发明内容
本发明提供一种带有过滤装置的碱抛槽,以解决现有技术中的问题。
为实现上述目的,本发明采用的技术方案为:
一种带有过滤装置的碱抛槽,包括碱抛槽主槽,所述碱抛槽主槽外通过循环管与碱抛槽主槽内形成回路,所述循环管上安装有过滤装置,所述过滤装置包括过滤箱和伸入过滤箱内的过滤芯,所述碱抛槽主槽内的药液经循环管进入过滤箱内,药液由过滤芯过滤,过滤后的药液再经循环管重新进入碱抛槽主槽内,所述碱抛槽主槽上还设置有补液口。
进一步的,所述过滤箱的侧壁上设置有进液口和出液口,所述进液口和出液口分别安装于过滤箱相对的两个侧壁上。
进一步的,所述循环管自过滤箱的进液口与过滤箱内部连通,循环管还自过滤箱的出液口与过滤箱内部连通。
进一步的,所述过滤芯自进液口处与循环管相接并连通,且过滤芯自进液口处横向伸入过滤箱内部。
进一步的,所述过滤芯可拆卸式安装于过滤箱内部。
进一步的,位于过滤芯一端的过滤芯连接口的外壁设置有外螺纹,所述过滤箱侧壁上的进液口内壁上设置有内螺纹,所述内螺纹与外螺纹相匹配。
进一步的,所述过滤箱的顶部设置有检修门,所述检修门上安装有把手。
进一步的,所述碱抛槽主槽的侧壁上设置有补液口和排液口,所述补液口和排液口分别安装于碱抛槽主槽相对的两个侧壁上。
进一步的,所述补液口的水平高度高于排液口的水平高度。
进一步的,所述循环管上还安装有循环电机。
与现有技术相比,本发明具有以下有益效果:
本发明通过在碱抛槽主槽外加设一个过滤装置,将脏污和胶体生成物阻隔在过滤箱内,同时将过滤区和补液区分隔开,避免新加药液与脏污反应影响补液效果;碱抛槽主槽内的药液从主槽内流出,经循环电机增压后,打入过滤装置,经过过滤后再流入主槽。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的