[实用新型]一种MICRO LED结构有效
| 申请号： | 201920241717.3 | 申请日： | 2019-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN209691780U | 公开（公告）日： | 2019-11-26 |
| 发明（设计）人： | 郝茂盛;张楠;袁根如 | 申请（专利权）人： | 上海芯元基半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/44;H01L33/46;H01L33/38 |
| 代理公司： | 31219 上海光华专利事务所(普通合伙) | 代理人： | 余明伟<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 201209 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属键合层 半导体发光材料 反射镜层 键合基 欧姆接触层 电极 本实用新型 发光区域 紫光LED 芯片 电隔离层 发射紫光 电隔离 光隔离 金属层 量子点 键合 激发 外部 | ||
1.一种MICRO LED结构，其特征在于，包括：
键合基板；
金属键合层，位于所述键合基板的表面；及
紫光LED芯片，经由所述金属键合层键合于所述键合基板上；所述紫光LED芯片包括：
反射镜层，位于所述金属键合层远离所述键合基板的表面；
电隔离层，位于所述反射镜层远离所述金属键合层的表面，所述电隔离层为环形隔离层，以将所述紫光LED芯片分割为发光区域及孤岛区域；其中，所述发光区域位于所述电隔离层的内侧，所述孤岛区域位于所述电隔离层外围；
欧姆接触层，位于所述反射镜层远离所述金属键合层的表面，且位于所述发光区域内；
半导体发光材料层，至少位于所述发光区域内的所述欧姆接触层远离所述反射镜层的表面，且位于所述发光区域内的所述半导体发光材料层的厚度不大于所述电隔离层的高度；所述半导体发光材料层受外部激发发射紫光；
电极，位于所述发光区域内的所述半导体发光材料层远离所述欧姆接触层的表面；
量子点，位于所述半导体发光材料层形成有所述电极的表面。
2.根据权利要求1所述的MICRO LED结构，其特征在于：所述紫光LED芯片的最大横向尺寸小于100微米。
3.根据权利要求1所述的MICRO LED结构，其特征在于：所述电隔离层包括水平部及自所述水平部两端向所述水平部两侧延伸的倾斜侧壁部，所述倾斜侧壁部与所述水平部一体连接，且自所述水平部向所述金属键合层延伸；所述倾斜侧壁部的倾斜角度小于等于45°，所述倾斜侧壁部的高度大于2微米，所述水平部的宽度大于1微米。
4.根据权利要求1所述的MICRO LED结构，其特征在于：所述电隔离层的厚度为2000埃～3μm；所述欧姆接触层包括透明导电层或镍金导电层，所述欧姆接触层的厚度为200埃～1000埃；所述金属键合层包括金键合层、锡键合层、镍键合层、金锡合金键合层或镍锡合金键合层。
5.根据权利要求1所述的MICRO LED结构，其特征在于：所述键合基板包括导电基板或导光基板。
6.根据权利要求1所述的MICRO LED结构，其特征在于：所述半导体发光材料层位于所述发光区域、所述孤岛区域及所述电隔离层的部分表面。
7.根据权利要求1所述的MICRO LED结构，其特征在于：所述半导体发光材料层位于所述发光区域及所述电隔离层的部分表面。
8.根据权利要求1所述的MICRO LED结构，其特征在于：所述MICRO LED结构包括多个所述紫光LED芯片。
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