[实用新型]一种硅基电致发光显示面板、显示装置有效
申请号: | 201920243506.3 | 申请日: | 2019-02-26 |
公开(公告)号: | CN209947840U | 公开(公告)日: | 2020-01-14 |
发明(设计)人: | 王青;杨盛际;陈小川 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 11330 北京市立方律师事务所 | 代理人: | 张筱宁 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 密封层 紫外线 硅基 可见光 发光器件 电致发光显示面板 转换发光材料 本实用新型 滤光材料 粘接层 背板 截止 可见光透过 显示装置 依次设置 有机材料 紫外光照 彩膜层 电极 转换 导通 申请 | ||
本实用新型实施例提供了一种硅基电致发光显示面板,包括:硅基背板;以及依次设置在硅基背板上的发光器件、电极、第一密封层、粘接层和彩膜层,其中:第一密封层内包含转换发光材料,用于将紫外线转换成可见光;或,第一密封层内包含滤光材料,用于使得可见光导通,且使得紫外线截止。本实用新型实施例还公开了一种显示装置。由于本申请实施例中的硅基电致发光显示面板在粘接层和发光器件之间设置有第一密封层,而第一密封层内包含转换发光材料,可以将紫外线转换成可见光;或,第一密封层内包含滤光材料,用于使得可见光透过,且使得紫外线截止,因此,降低紫外光照工艺对发光器件中的有机材料的损坏,提升可靠性。
技术领域
本实用新型涉及显示技术领域,具体为一种硅基电致发光显示面板、显示装置。
背景技术
硅基有机发光二极管是近年来发展起来的微型显示器,以成熟的硅基半导体工艺制程,可以制备高显示密度、高刷新频率的有机发光二极管显示器,应用在虚拟现实或增强现实领域中。目前三基色有机材料分别蒸镀的方式还不能满足硅基有机发光二极管高显示密度的蒸镀要求,所以目前还是采用白光加彩膜工艺的方式来实现彩色化。
在这种彩膜工艺中,彩膜工艺的工艺制程和工艺参数显得尤为重要,彩膜工艺的精细度直接决定了硅基有机发光二极管的分辨率,近年来发展的低温彩膜技术是应用在硅基有机发光二极管中的关键彩膜技术,可以实现在1-2微米的像素加工精度。但是低温彩膜技术存在一个问题就是,低温固化工艺使得其与有机发光二极管器件下层的封装层之间粘附性不好,这样会影响到器件的可靠性。通常的解决方法是在彩膜层与封装层之间加一层粘接层。
但是目前这层粘接层多采用紫外线固化的工艺制作形成,而紫外线照射过程中会损伤下层发光器件中的有机材料,容易导致发光器件失效。如果这层粘接层采用热固化胶水的方式制备,而热固化的方式制备的粘接层与彩膜层之间的粘附性较差。
因此,需要寻找在不损伤下层发光器件中的有机材料的同时,能够使用紫外线固化的工艺制备粘接层的技术。
实用新型内容
有鉴于此,本实用新型提供一种硅基电致发光显示面板、显示装置,解决现有技术中存在采用紫外线固化的工艺制作粘接层时,紫外光照工艺会对有机发光二极管造成损坏的问题。
为了解决上述问题,本实用新型实施例主要提供如下技术方案:
在第一方面中,本实用新型实施例公开了一种硅基电致发光显示面板,其特征在于,包括:
硅基背板;以及
依次设置在所述硅基背板上的发光器件、电极、第一密封层、粘接层和彩膜层,其中:
所述第一密封层内包含转换发光材料,用于将紫外线转换成可见光;或,所述第一密封层内包含滤光材料,用于使得可见光透过,且使得紫外线截止。
可选地,所述第一密封层包括:至少一光转换层和封装层;
所述光转换层包括转换发光材料;
所述光转换层设置在所述封装层靠近所述粘接层的一侧;和/或,设置在所述封装层远离所述粘接层的一侧。
可选地,所述封装层包括:叠层设置的至少一有机封装层和至少一无机封装层;
所述光转换层设置在任意相邻的所述有机封装层和所述无机封装层之间。
可选地,所述第一密封层为封装层,所述封装层包括:叠层设置的至少一有机封装层和至少一无机封装层;
所述至少一有机封装层内包含转换发光材料。
可选地,所述转换发光材料包括:铕-4,7-苯基-1,10-邻菲罗啉配合物。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的