[实用新型]一种功率模块用焊接底座有效

专利信息
申请号: 201920255168.5 申请日: 2019-02-28
公开(公告)号: CN209804600U 公开(公告)日: 2019-12-17
发明(设计)人: 王玉麒;童颜;吴义伯;徐凝华;姚卫刚;康强;常桂钦;方杰;彭勇殿 申请(专利权)人: 株洲中车时代电气股份有限公司
主分类号: H01L21/60 分类号: H01L21/60
代理公司: 11372 北京聿宏知识产权代理有限公司 代理人: 吴大建;何娇
地址: 412001 湖*** 国省代码: 湖南;43
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摘要:
搜索关键词: 本实用新型 功率模块 焊接底座 插针部 焊接部 插针 电子功率器件 绝缘衬板 直接焊接 高效化 紧凑
【说明书】:

实用新型涉及一种功率模块用焊接底座,涉及电子功率器件技术领域,用于用于为IGBT模块实现结构紧凑化、功率密度高效化提供有力的条件。本实用新型的功率模块用焊接底座包括焊接部和插针部,插针可设置在插针部中,通过焊接部就可在绝缘衬板上直接焊接墩子与插针,从而使模块的结构更加紧凑,功率密度得以提高。

技术领域

本实用新型涉及电子功率器件技术领域,特别地涉及一种功率模块用焊接底座。

背景技术

关于功率半导体模块的相关申请中,例如CN101546741B、CN101546741A、CN102956570B、CN102956570B以及CN101901792B中,都提到了功率半导体模块的导电接触元件。目前IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,绝缘栅双极型晶体管)模块的发展方向为结构紧凑、提高功率密度。

实用新型内容

本实用新型提供一种功率模块用焊接底座,用于为IGBT模块实现结构紧凑化、功率密度高效化提供有力的条件。

本实用新型提供一种功率模块用焊接底座,包括焊接部和插针部,所述插针部设置在所述焊接部的非焊接端面上,并沿所述焊接部的轴向方向延伸,所述焊接部的焊接端面上至少设置有一条第一槽体。

在一个实施方式中,所述第一槽体沿所述焊接部的轴向方向延伸。

在一个实施方式中,所述第一槽体在径向方向上贯穿所述焊接部。

在一个实施方式中,所述焊接端面构造为圆形或者多边形。

在一个实施方式中,所述焊接端面与所述非焊接端面具有相同或者不同的形状。

在一个实施方式中,所述插针部包括插孔,所述插孔在所述插针部的轴向方向上延伸直至分别贯穿所述插针部和所述焊接部。

在一个实施方式中,所述插孔的内壁上至少设置有一条沿其径向方向延伸的第二槽体。

在一个实施方式中,所述第二槽体在轴向方向上分别贯穿所述插针部和所述焊接部。

在一个实施方式中,所述插孔的内壁上设置有螺纹。

在一个实施方式中,所述焊接端面和所述非焊接端面在轴向方向上相对设置。

与现有技术相比,本实用新型的优点在于:插针可设置在插针部中,通过焊接部就可在绝缘衬板上直接焊接墩子与插针,从而使模块的结构更加紧凑,功率密度得以提高。

附图说明

在下文中将基于实施例并参考附图来对本实用新型进行更详细的描述。

图1是本实用新型的实施例中功率模块用焊接底座的立体结构示意图(底部视角);

图2是本实用新型的实施例中功率模块用焊接底座的立体结构示意图(顶部视角)。

附图标记:

1-焊接部;2-插针部;

11-第一槽体;12-焊接端面;13-非焊接端面;

21-插孔;22-第二槽体。

具体实施方式

下面将结合附图对本实用新型作进一步说明。

如图1和2所示,本实用新型提供一种功率模块用焊接底座,其包括焊接部1和插针部2,焊接部1具有一个焊接端面12和一个非焊接端面13,焊接端面12和非焊接端面13在轴向方向上相对设置。

其中,焊接部1通过焊接端面12与绝缘衬板相连。插针部2设置在焊接部1的非焊接端面13上,并沿焊接部1的轴向方向延伸,焊接部1的焊接端面12上至少设置有一条第一槽体11。

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