[实用新型]一种低功耗的二极管芯片结构有效
| 申请号： | 201920255195.2 | 申请日： | 2019-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN209471970U | 公开（公告）日： | 2019-10-08 |
| 发明（设计）人： | 王民安;马霖;王日新;郑春鸣;全美淑;谢富强;王志亮;董蕊;岳春艳;戴永霞;倪小兰;汪杏娟;胡丽娟;黄永辉;项建辉;陈明;曹红军 | 申请（专利权）人： | 安徽省祁门县黄山电器有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06 |
| 代理公司： | 芜湖众汇知识产权代理事务所(普通合伙) 34128 | 代理人： | 谈志成 |
| 地址： | 245600 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 二极管芯片 长基区 本实用新型 低功耗 阳极区 阻挡层 缓冲 产品合格率 降低器件 外侧设置 功耗 应用 | ||
1.一种低功耗的二极管芯片结构，包括长基区N，设置在长基区N下方的阳极区P，其特征在于：所述长基区N的外侧设置有一圈P型隔离层，所述P型隔离层的下方与阳极区P相连。
2.如权利要求1所述的低功耗的二极管芯片结构，其特征在于：所述P型隔离层的外侧还设置有P+缓冲阻挡层。
3.如权利要求1所述的低功耗的二极管芯片结构，其特征在于：所述阳极区P上至少设置有一圈第一盲孔或第一刻蚀槽，第一盲孔或第一刻蚀槽一直延伸至P型隔离层内。
4.如权利要求2所述的低功耗的二极管芯片结构，其特征在于：所述阳极区P上至少设置有一圈第一盲孔或第一刻蚀槽，第一盲孔或第一刻蚀槽一直延伸至P型隔离层内；所述阳极区P上还至少设置有一圈第二盲孔或第二刻蚀槽，第二盲孔或第二刻蚀槽一直延伸至P+缓冲阻挡层内且第二盲孔或第二刻蚀槽的深度大于第一盲孔或第一刻蚀槽。
5.如权利要求4所述的低功耗的二极管芯片结构，其特征在于：所述第二盲孔或第二刻蚀槽设置在阳极区P和P+缓冲阻挡层内部。
6.如权利要求4所述的低功耗的二极管芯片结构，其特征在于：所述第二刻蚀槽设置在阳极区P和P+缓冲阻挡层的侧边缘上，相邻两二极管芯片共用一个第二刻蚀槽。
7.如权利要求2所述的低功耗的二极管芯片结构，其特征在于：二极管芯片的侧边缘从所述阳极区P的底部向上延伸设置有一圈台阶凹槽。
8.如权利要求3或4所述的低功耗的二极管芯片结构，其特征在于：所述第一盲孔和第二盲孔为激光孔或刻蚀孔。
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