[实用新型]光伏电池制造设备及光伏电池生产线有效
申请号: | 201920256556.5 | 申请日: | 2019-02-28 |
公开(公告)号: | CN209766455U | 公开(公告)日: | 2019-12-10 |
发明(设计)人: | 汤明喜;张洪光;姚培培 | 申请(专利权)人: | 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 11225 北京金信知识产权代理有限公司 | 代理人: | 王智;李海菊 |
地址: | 100176 北京市大兴区北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电池芯片 划刻装置 温度检测装置 光伏电池 制造设备 温度异常 检测 本实用新型 精度降低 温度检测 温度信息 电连接 进料口 良品率 划刻 上料 预设 送入 发送 反馈 | ||
本实用新型提供了一种光伏电池制造设备及光伏电池制造设备,光伏电池制造设备包括划刻装置,光伏电池制造设备还包括:温度检测装置,温度检测装置设置在划刻装置的进料口之前,以对准备进入划刻装置的电池芯片的温度进行检测;控制部,与温度检测装置和划刻装置均电连接,温度检测装置将检测到的待进入划刻装置的电池芯片的温度信息反馈给控制部,当温度检测装置检测到的待进入划刻装置的电池芯片的温度超出预设范围时,控制部发送暂停上料信号以阻止电池芯片送入划刻装置。可以先对电池芯片进行温度检测,且阻止温度异常的电池芯片进入划刻装置,因此避免了由于电池芯片温度异常而导致的划刻精度降低,提高了电池芯片的良品率。
技术领域
本实用新型涉及光伏电池设备领域,具体而言,涉及一种光伏电池制造设备及光伏电池生产线。
背景技术
在光伏电池制造过程中,需要经过增加材料后去除一部分材料这种过程,但往往在增加材料的过程中,电池芯片的温度会升高,而在后续的去除一部分材料的工序前未能降温到常规温度,导致后续工序的精度收到干扰,严重时还可能造成废件。
例如在CIGS电池芯片的制造过程中,就包括TCO镀膜,之后对电池芯片进行刻划这样的工序。
TCO玻璃是指在CIGS电池芯片的CIGS层表面通过物理或化学镀膜方法均匀的镀上一层透明的导电氧化物薄膜(Transparent Conductive Oxide)而形成的部分。对光伏电池来说,由于中间半导体层几乎没有横向导电性能,因此必须使用TCO玻璃有效收集电池的电流,同时TCO薄膜具有高透和减反射的功能让大部分光进入吸收层。
经过TCO镀膜后,从镀膜设备送出的电池芯片的温度高达130℃,但下一步刻划工艺要求电池芯片的温度在25℃上下,因此若将超过工艺要求的温度的电池芯片直接送入刻划装置进行刻划,就会影响刻划的精度,导致产品的次品率升高。
实用新型内容
本实用新型的主要目的在于提供一种光伏电池制造设备及光伏电池生产线,以解决现有技术中的电池板温度异常而导致划刻次品率升高的问题。
为了实现上述目的,根据本实用新型的一个方面,提供了一种光伏电池制造设备,包括划刻装置,光伏电池制造设备还包括:温度检测装置,温度检测装置设置在划刻装置的进料口之前,以对准备进入划刻装置的电池芯片的温度进行检测;控制部,与温度检测装置和划刻装置均电连接,温度检测装置将检测到的待进入划刻装置的电池芯片的温度信息反馈给控制部,当温度检测装置检测到的待进入划刻装置的电池芯片的温度超出预设范围时,控制部发送暂停上料信号以阻止电池芯片送入划刻装置。
进一步的,温度检测装置包括红外温度传感器。
进一步的,温度检测装置包括接触式温度传感器。
进一步的,光伏电池制造设备还包括电池传送装置,电池传送装置包括运载部和伺服器,运载部用于运输电池芯片,伺服器与运载部驱动连接,控制部与伺服器电链接,当温度检测装置检测到的待进入划刻装置的电池芯片的温度超出预设范围时,控制部向伺服器发送停机信号。
进一步的,电池传送装置还包括等候区域,运载部包括连接至划刻装置的主路和连接至等候区域的旁路,当温度检测装置检测到的待进入划刻装置的电池芯片的温度超出预设范围时,运载部通过旁路将电池芯片运送至等候区域。
进一步的,控制部与划刻装置的控制面板电连接,当温度检测装置检测到的待进入划刻装置的电池芯片的温度超出预设范围时,控制部向控制面板发送报警信号,以使控制面板发出报警信息。
进一步的,控制面板发出的报警信息包括显示在控制面板上的视频信息和/或蜂鸣器发出的音频信息。
进一步的,光伏电池制造设备还包括报警灯,报警灯设置在划刻装置的上方并与控制部电连接,当温度检测装置检测到的待进入划刻装置的电池芯片的温度超出预设范围时,控制部向报警灯发送运行信号。
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的