[实用新型]GaN基高电子迁移率晶体管外延片有效
| 申请号： | 201920258319.2 | 申请日： | 2019-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN209561413U | 公开（公告）日： | 2019-10-29 |
| 发明（设计）人： | 丁涛;周飚;胡加辉;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/26 | 分类号： | H01L29/26;H01L29/778 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 215600 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高电子迁移率晶体管 金属纳米粒子 石墨烯层 外延片 金属纳米粒子层 衬底 本实用新型 缓冲层 形核层 帽层 沉积 三维 | ||
1.一种GaN基高电子迁移率晶体管外延片，其特征在于，所述高电子迁移率晶体管外延片包括：
衬底、在所述衬底上顺次沉积的石墨烯层、金属纳米粒子层、三维形核层、缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层、以及GaN帽层，所述金属纳米粒子层包括若干位于所述石墨烯层上的金属纳米粒子、且各个所述金属纳米粒子均与所述石墨烯层接触，所述金属纳米粒子的直径为1～20nm，相邻所述金属纳米粒子之间存在间隙。
2.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，所述石墨烯层的厚度为1～10nm。
3.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，相邻所述金属纳米粒子之间的距离为1～20nm。
4.根据权利要求3所述的外延片，其特征在于，所述金属纳米粒子层为Ag纳米粒子层、Au纳米粒子层、In纳米粒子层和Al纳米粒子层中的任何一种。
5.根据权利要求1所述的外延片，其特征在于，所述高电子迁移率晶体管外延片还包括金属膜层，所述金属膜层位于所述石墨烯层与所述金属纳米粒子层之间，所述金属膜层包括若干位于所述石墨烯层上的金属岛、且各个所述金属岛均与所述石墨烯层接触，包围所述金属岛的横截面、且面积最小的圆的直径为500～1500nm，相邻所述金属岛之间存在间隙，所述金属纳米粒子位于相邻所述金属岛之间的石墨烯层上，所述金属纳米粒子层还包括若干位于所述金属岛上的金属纳米粒子。
6.根据权利要求5所述的外延片，其特征在于，所述相邻金属岛之间的距离为10～100nm。
7.根据权利要求6所述的外延片，其特征在于，所述金属岛的高度为500～1500nm。
8.根据权利要求5所述的外延片，其特征在于，所述金属膜层为Ag膜层、Au膜层、In膜层和Al膜层中的任何一种。
9.根据权利要求1-8中任一项所述的外延片，其特征在于，所述三维形核层为AlN层，所述三维形核层的厚度为10～50nm。
10.根据权利要求1-8中任一项所述的外延片，其特征在于，所述衬底为碳化硅、蓝宝石以及单晶硅衬底中的任何一种。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华灿光电（苏州）有限公司，未经华灿光电（苏州）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201920258319.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
