[实用新型]一种高精度RC振荡器

权利要求书

1.一种高精度RC振荡器，其包括RC振荡器电路、粗调电路和细调电路，其中，RC振荡器电路包括电源VCC、第一电容C1、第二电容C2、第一电感L1、第二电感L2，电源VCC采用交流电，第一NMOS晶体管M1、第二NMOS晶体管M2，其中第一电感L1和第一电容C1并联，且第一电感L1和第一电容C1的一端与电源VCC相连，另外一端与第二NMOS晶体管M2的栅极G端相连；第二电感L2和第二电容C2并联，且第二电感L2和第二电容C2的一端与电源VCC相连，另外一端与第一NMOS晶体管M1的栅极G端相连，第一NMOS晶体管M1的漏极D端与第一电感L1和第一电容C1的另外一端相连，第一NMOS晶体管M1的源极S端接地；第二NMOS晶体管M2的漏极D端与第二电感L2和第二电容C2的另外一端相连，第二NMOS晶体管M2的源极S端接地；其特征在于：粗调电路包括数字控制端和一个线路或含有多个并联线路的阵列结构，所述的一个线路或者含有多个并联线路的阵列结构为含有NMOS晶体管和电容的线路结构；通过数字控制端相应的线路上的NMOS晶体管的导通，可以调节RC振荡器电路中的电容的增大幅度，从而来减小高频振动频率。

2.如权利要求1所述的高精度RC振荡器，其特征在于：当粗调电路中含有n个并联线路的阵列结构时，则RC振荡器的频率的调节区域为2ⁿ个。

3.如权利要求1所述的高精度RC振荡器，其特征在于：粗调电路中的每一条并联的线路上包含一个电容和一个NMOS晶体管，且所述电容的一端连接在第一电感L1、第一电容C1与第一NMOS晶体管M1的漏极D端之间，所述电容的另外一端与所述NMOS晶体管的漏极D端连接，所述NMOS晶体管的源极S端接地，所述晶体管M3的栅极G端连接到数字控制端。

4.如权利要求1所述的高精度RC振荡器，其特征在于：粗调电路中的每一条并联的线路上的结构相同。

5.如权利要求1所述的高精度RC振荡器，其特征在于：粗调电路的一个线路或含有多个并联线路的阵列结构中的NMOS管的尺寸为纳米级。

6.如权利要求5所述的高精度RC振荡器，其特征在于：NMOS管的长度为7nm-100nm。

7.如权利要求1所述的高精度RC振荡器，其特征在于：细调电路包含第一可变电容VCTR1和第二可变电容VCTR2，其中第一可以变电容VCTR1和第二可变电容VCTR串联，且第一可变电容VCTR1的另一端连接到第一电感L1、第一电容C1和第一NMOS晶体管M1的漏极D端之间，第二可变电容VCTR2的另一端连接到第二电感L2、第二电容C2和第二NMOS晶体管M2的漏极D端之间。