[实用新型]一种宽光谱纳米阵列探测器有效
| 申请号： | 201920262643.1 | 申请日： | 2019-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN209344126U | 公开（公告）日： | 2019-09-03 |
| 发明（设计）人： | 况亚伟;刘玉申;倪志春;魏青竹;杨希峰;王书昶;马玉龙;冯金福 | 申请（专利权）人： | 常熟理工学院;苏州腾晖光伏技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/42 | 分类号： | H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48;B82Y15/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 张俊范 |
| 地址： | 215500 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 纳米柱 周期阵列结构 表面设置 氧化硅衬 钙钛矿 透明导电薄膜 本实用新型 纳米阵列 宽光谱 异质结 探测器 轴向 柱体 表面设置金属 导电电极 光谱响应 可见光谱 上下对齐 栅线电极 周期阵列 紫外光谱 外电路 响应 驱动 拓展 | ||
1.一种宽光谱纳米阵列探测器，其特征在于，包括氧化硅衬底，所述氧化硅衬底的表面设置ZnO纳米柱周期阵列结构，所述ZnO纳米柱周期阵列结构表面设置钙钛矿纳米柱周期阵列结构，所述ZnO纳米柱和所述钙钛矿纳米柱上下对齐构成轴向异质结柱体，所述氧化硅衬底的表面及所述轴向异质结柱体的表面设置透明导电薄膜，位于所述ZnO纳米柱周期阵列结构两侧的所述透明导电薄膜的表面设置金属栅线电极作为导电电极供外电路驱动。
2.根据权利要求1所述的宽光谱纳米阵列探测器，其特征在于，所述氧化硅衬底的厚度为20～2000μm。
3.根据权利要求1所述的宽光谱纳米阵列探测器，其特征在于，所述ZnO纳米柱周期阵列结构的ZnO纳米柱直径为100～800nm，高度为100～8000nm，占空比为0.1～0.8。
4.根据权利要求1所述的宽光谱纳米阵列探测器，其特征在于，所述钙钛矿纳米柱周期阵列结构的钙钛矿纳米柱直径为100～800nm，高度为100～8000nm，占空比为0.1～0.8，所述钙钛矿为CH3NH3PbI3。
5.根据权利要求1所述的宽光谱纳米阵列探测器，其特征在于，所述透明导电薄膜为氧化钼、氧化铟锡、掺铝氧化锌和聚乙撑二氧噻吩中的一种，厚度为200～800nm。
6.根据权利要求1所述的宽光谱纳米阵列探测器，其特征在于，所述金属栅线电极为Au、Ag、Al、Gu和Pt中的一种，厚度为20～1000nm。
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