[实用新型]一种基于磁阻传感器交叉点阵列的数字液位传感器有效

专利信息
申请号: 201920269522.X 申请日: 2019-03-04
公开(公告)号: CN210036902U 公开(公告)日: 2020-02-07
发明(设计)人: 詹姆斯·G·迪克;伊拉姆帕瑞蒂·维斯瓦纳坦 申请(专利权)人: 江苏多维科技有限公司
主分类号: G01F23/72 分类号: G01F23/72
代理公司: 11332 北京品源专利代理有限公司 代理人: 孟金喆
地址: 215634 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 磁传感器芯片 列解码器 微控制器 行解码器 液位 数字液位传感器 线性比例关系 本实用新型 传感器芯片 传感器元件 磁阻传感器 交叉点阵列 二极管 激活状态 输出接口 解码 电连接 行引线 永磁体 最小化 功耗 寻址 扫描 供电 转换
【权利要求书】:

1.一种基于磁阻传感器交叉点阵列的数字液位传感器,其特征在于,包括:PCB板,设置在PCB板上的多个TMR磁传感器芯片,在所述PCB板上设置有M条行引线和N条列引线,其中M和N为大于等于1的整数;

在所述PCB板上设置的微控制器、行解码器以及列解码器,所述微控制器和所述行解码器、所述列解码器电连接;所述列解码器通过所述列引线与所述TMR磁传感器芯片连接,所述行解码器通过所述行引线与所述TMR磁传感器芯片连接,每个所述TMR磁传感器芯片包括多个MTJ元件,所述MTJ元件电连接成M行N列的MTJ元件阵列,每行MTJ元件与行引线或列引线之间连接有二极管;永磁体,所述永磁体附着在磁性浮子上,所述永磁体沿着PCB板的长轴方向移动并改变所述永磁体附近的MTJ元件的磁场状态,所述磁性浮子随着液位传感器浸入的液体表面浮动;

保护管,所述保护管包围所述PCB板。

2.根据权利要求1所述的基于磁阻传感器交叉点阵列的数字液位传感器,其特征在于,每个所述TMR磁传感器芯片上的每行MTJ元件的一端电气连接到一个或多个列引线焊盘,一个或多个列引线焊盘都与一根列引线连接,每行MTJ元件的另一端分别电气连接到一个行引线焊盘。

3.根据权利要求2所述的基于磁阻传感器交叉点阵列的数字液位传感器,其特征在于,每行MTJ元件包括一个MTJ元件或包括至少两个串联连接的MTJ元件形成的MTJ元件串。

4.根据权利要求1所述的基于磁阻传感器交叉点阵列的数字液位传感器,其特征在于,所述PCB板是柔性PCB板。

5.根据权利要求1所述的基于磁阻传感器交叉点阵列的数字液位传感器,其特征在于,所述TMR磁传感器芯片通过引线键合或倒装芯片的方式连接到所述PCB板,并具有线性或双极响应。

6.根据权利要求3所述的基于磁阻传感器交叉点阵列的数字液位传感器,其特征在于,所述二极管集成在所述TMR磁传感器芯片上并串联连接在每行MTJ元件和设置在该行的行引线焊盘之间。

7.根据权利要求3所述的基于磁阻传感器交叉点阵列的数字液位传感器,其特征在于,所述二极管集成在所述TMR磁传感器芯片上并串联连接在每行MTJ元件和与其电气连接的列引线焊盘之间。

8.根据权利要求2所述的基于磁阻传感器交叉点阵列的数字液位传感器,其特征在于,还包括行选择MOSFET、列选择MOSFET和比较电路;行选择MOSFET的漏极电连接到行引线,行选择MOSFET的栅极与所述行解码器的输出端连接,行选择MOSFET的源极串联连接到第一电阻R1的一端以及所述比较电路的第一输入端,行选择MOSFET和第一电阻R1之间的电气节点输出为输出电压Vout,第一电阻R1的另一端连接到电源电压VCC;所述列解码器与所述列选择MOSFET的栅极电连接;两个第二电阻R2串联连接在电源电压VCC和地之间,两个第二电阻R2的中间点输出参考电压Vref并连接到所述比较电路的第二输入端,所述比较电路的输出端与所述微控制器电连接,所述比较电路在输出电压Vout小于参考电压Vref时输出高电平信号值,在输出电压Vout大于等于参考电压Vref时输出低电平信号值,其中输出的电平信号值表示正在寻址的TMR磁传感器芯片中MTJ元件的激活值。

9.根据权利要求1所述的基于磁阻传感器交叉点阵列的数字液位传感器,其特征在于,还包括零液位设定装置,当没有MTJ元件被激活并且磁性浮子位置经过传感器位于最底部位置时,零液位设定装置设定液位处于零填充液位状态。

10.根据权利要求1所述的基于磁阻传感器交叉点阵列的数字液位传感器,其特征在于,所述TMR磁传感器芯片选择具有两端口的磁阻传感器芯片。

11.根据权利要求1所述的基于磁阻传感器交叉点阵列的数字液位传感器,其特征在于,所述TMR磁传感器芯片通过CSP封装。

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