[实用新型]晶圆转移装置

说明书

本申请公开一种应用于晶圆多工位边缘抛光设备的晶圆转移装置，包括转台和等角度设置的多个转移机械手，每一个转移机械手位于相邻两个作业区位之间，通过驱动转台转动，可同时利用多个转移机械手完成多片晶圆的转移，特别的，可使得每一个转移机械手能将对应的晶圆自前一个作业区位快速、平稳且无损伤地转移至邻近的后一个作业区位，提高了晶圆转移效率。

技术领域

本申请涉及晶圆加工技术领域，特别是涉及一种晶圆多工位边缘抛光设备的晶圆转移装置。

背景技术

一般，当硅材料结晶成很大的、在其大部分长度上为圆柱体之后，要把这种柱状结晶材料切割成很薄的、成为硅晶片的圆片，由于其形状为圆形，这样的硅晶片也可称为晶圆(Wafer)。后续，在晶圆上可进一步加工制作成各种电路元件结构，从而成为有特定电性功能的集成电路产品。

随着半导体技术朝向大尺寸晶圆的方向发展，对晶圆的表面颗粒度、几何参数、边缘及表面的粗糙度提出了更加严格的要求。例如在切片工艺中，切片所得的晶圆边缘比较粗糙，存在凹凸不平、尖角等，这样，在各种后续加工工艺中可能会受到外力的作用，当外力超出晶圆的最大负载或是应力过度集中时就会造成晶圆裂痕、晶圆破片等问题，严重影响晶圆工艺的良率，因此，会针对晶圆进行边缘抛光作业，使得晶圆边缘的损伤部分能被去除，得到光滑的晶圆边缘。

以晶圆的边缘抛光为例，相关工艺中，以中国专利公开文献(公开号：CN1312747，发明名称：抛光晶片边缘的方法和设备)为例，公开有一种晶片边缘的抛光设备，在利用所述晶片边缘抛光设备进行边缘抛光时，将晶片固定在真空卡盘上，由真空卡盘带着晶片绕着中心线旋转，使用一个用合成塑料制成的抛光轮与晶片旋转的边缘接触，在绕着抛光轮的抛光表面设有凹槽，该凹槽的横断面与晶片边缘的轮廓互补，通过抛光轮与晶片的边缘之间发生相对运动，实现对晶片的边缘进行抛光。但在上述晶片边缘抛光设备中，抛光轮是设在真空卡盘的旁侧，这无疑增加了设备的整体空间。另外，上述晶片边缘抛光设备仅限于单纯的晶片边缘抛光，针对带有定位结构(定位结构可例如为例如凹口notch、平边flat等)的晶片，则无法完成晶片中定位结构的抛光。

实际上，以晶圆带有定位结构为例，该晶圆的边缘抛光可包括定位结构抛光及除定位结构之外的其他边缘抛光，而其中的每一类抛光工艺可进一步包括粗抛光和精抛光等，这些细化的抛光工艺一般均需配置单独的抛光设备，如此，就存在各个抛光设备之间布局、晶圆转移等问题，操作繁琐，效率低下，且在晶圆转移过程中增加了晶圆损伤的风险。

发明内容

鉴于以上所述相关技术的缺失，本申请的目的在于公开一种晶圆多工位边缘抛光设备的晶圆转移装置，用于解决相关技术中结构复杂、操作繁琐，效率低下等问题。

为实现上述目的及其他目的，本申请的第一方面公开一种晶圆多工位边缘抛光设备的晶圆转移装置，所述晶圆多工位边缘设备具有晶圆作业平台，在所述晶圆作业平台上环设有等角度排列的多个作业区位，所述晶圆转移装置包括：转台，设于所述晶圆作业平台的居中区域；多个转移机械手，等角度设于所述转台上；每一个转移机械手位于相邻两个作业区位之间，用于在所述转台的带动下将晶圆自前一个作业区位转移至邻近的后一个作业区位。

在本申请第一方面的某些实施方式中，所述转台上配置有转台驱动电机，用于驱动所述转台实现正反转向的转动。

在本申请第一方面的某些实施方式中，相邻两个转移机械手之间的夹角等于对应的相邻两个作业区位之间的夹角。

在本申请第一方面的某些实施方式中，在初始状态下，每一个转移机械手的初始位置为相邻两个作业区位的中间位置。

在本申请第一方面的某些实施方式中，所述转移机械手包括：用于承托晶圆的承托部和用于将所述承托部连接于所述转台的支臂。

在本申请第一方面的某些实施方式中，所述承托部上设有吸附单元。

在本申请第一方面的某些实施方式中，所述承托部为托盘或承托臂。