[实用新型]用于半导体薄膜真空气相沉积生产的分段破空装置

权利要求书

1.一种用于半导体薄膜真空气相沉积生产的分段破空装置，其特征在于：包括沿基板(9)移动方向先后设置的薄膜沉积区(3)、缓冲过渡区(4)、以及慢冷区(5)，所述薄膜沉积区(3)、缓冲过渡区(4)、以及慢冷区(5)都为真空腔室，所述慢冷区(5)内的真空度比薄膜沉积区(3)内的真空度低10倍以上，所述缓冲过渡区(4)内设置有用于移送基板(9)的传送机构(8)。

2.根据权利要求1所述的分段破空装置，其特征在于：所述慢冷区(5)内的真空度比薄膜沉积区(3)内的真空度低40-60倍。

3.根据权利要求1或2所述的分段破空装置，其特征在于：在所述薄膜沉积区(3)内沉积在基板(9)上的半导体材料为碲化镉；所述薄膜沉积区(3)的真空度为20Pa，所述慢冷区(5)的真空度为1000Pa。

4.根据权利要求1所述的分段破空装置，其特征在于：所述传送机构(8)在缓冲过渡区(4)内移送基板(9)的移送速度为10-30m/min。

5.根据权利要求1所述的分段破空装置，其特征在于：所述缓冲过渡区(4)中设有连通薄膜沉积区(3)和缓冲过渡区(4)的进口部(41)、连通缓冲过渡区(4)和慢冷区(5)的出口部(42)、设置在进口部(41)处且可开闭进口部(41)的进口端门阀、以及设在出口部(42)处且可开闭出口部(42)的出口端门阀，所述传送机构(8)的两端分别延伸至进口部(41)和出口部(42)。

6.根据权利要求5所述的分段破空装置，其特征在于：还包括与缓冲过渡区(4)相通的真空系统(7)；当所述进口端门阀和出口端门阀都关闭时，所述真空系统(7)开启，使缓冲过渡区(4)内具有与薄膜沉积区(3)相同的真空度；当所述进口端门阀开启、或所述出口端门阀开启时，所述真空系统(7)关闭。

7.根据权利要求6所述的分段破空装置，其特征在于：所述真空系统(7)为一套单独的真空泵组。

8.根据权利要求1或4或5所述的分段破空装置，其特征在于：所述传送机构(8)包括多个设置缓冲过渡区(4)内的传送辊道(81)，多个传送辊道(81)沿基板(9)的移送方向先后排布，每个传送辊道(81)沿垂直于基板(9)的移送方向的方向延伸。

9.根据权利要求1所述的分段破空装置，其特征在于：还包括进口室(1)、预热区(2)和出口室(6)，所述进口室(1)、预热区(2)、薄膜沉积区(3)、缓冲过渡区(4)、慢冷区(5)、以及出口室(6)沿基板(9)移动方向先后设置，所述预热区(2)内的真空度与薄膜沉积区(3)内的真空度相同。

10.根据权利要求9所述的分段破空装置，其特征在于：所述预热区(2)和缓冲过渡区(4)共用一套真空系统(7)。