[实用新型]一种分离栅MOSFET器件有效
| 申请号： | 201920291615.2 | 申请日： | 2019-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN209515675U | 公开（公告）日： | 2019-10-18 |
| 发明（设计）人： | 原小明 | 申请（专利权）人： | 南京江智科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 江苏楼沈律师事务所 32254 | 代理人： | 吕欣 |
| 地址： | 210000 江苏省南京市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 本实用新型 多晶硅 分离栅 绝缘层 工艺制造成本 工艺可靠性 工艺窗口 耐压能力 专利工艺 第一层 复杂度 光刻 量产 竖向 制造 | ||
【权利要求书】：
1.一种分离栅MOSFET器件，其特征在于：衬底上形成有外延层，外延层顶面上设置有第一沟槽，第一沟槽的底面及侧面上形成有第一氧化层，第一氧化层的表面淀积有第一层多晶硅，第一层多晶硅中设置有第二沟槽、第三沟槽，第二沟槽、第三沟槽的底面及侧面上形成有第二氧化层，第二氧化层的表面淀积有第二层多晶硅，在位于衬底顶部第一沟槽的两侧从上往下依次设置有N+，P-Body。
2.根据权利要求1所述的器件，其特征在于：第一层多晶硅将第一沟槽完全填充满。
3.根据权利要求1所述的器件，其特征在于：第二层多晶硅将第二沟槽、第三沟槽完全填充满。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南京江智科技有限公司，未经南京江智科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201920291615.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：具有三明治结构的GaN-HEMT器件
- 下一篇：半导体器件及芯片
- 同类专利
- 专利分类
