[实用新型]一种双层抗PID高增益白色EVA与PO复合光伏胶膜有效
申请号: | 201920309598.0 | 申请日: | 2019-03-12 |
公开(公告)号: | CN210489629U | 公开(公告)日: | 2020-05-08 |
发明(设计)人: | 张刚;金旭;吕松;黄宝玉;乔刚;童伟 | 申请(专利权)人: | 常州斯威克光伏新材料有限公司 |
主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048;H01L31/054 |
代理公司: | 南京勤行知识产权代理事务所(普通合伙) 32397 | 代理人: | 吕波 |
地址: | 213200 江苏省常*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 双层 pid 增益 白色 eva po 复合 胶膜 | ||
本实用新型涉及光伏胶膜技术领域,特别是一种双层抗PID高增益白色EVA与PO复合光伏胶膜,由上方的透明PO层和下方的白色反光EVA层构成;所述白色反光EVA层表面设置有金字塔型的反光结构,所述透明PO层流延涂敷到白色反光EVA层表面的反光结构上。通过金字塔漫反射结构的设计,其结构是亚光学级,结构设计金字塔高度在10~100μm,其可加工制备性好,能够有效达到光线的漫反射效果,有效增加了组件的发电效率。
技术领域
本实用新型涉及光伏胶膜技术领域,特别是一种双层抗PID高增益白色EVA与PO复合光伏胶膜。
背景技术
近十几年来,由于技术进步和国家光伏政策的影响,我国光伏产业的发展非常迅猛。自531政策以来,光伏行业对降本增效的要求越来越高。而目前无论是电池片技术的转化效率越来越高,达到22%以上,还是各组件版型设计,叠瓦组件,半片组件,还是组件用辅材的技术升级,反光焊带,反光贴膜,高反射背板及高反白膜等都在使得组件技术在朝着更高效率更高使用寿命的方向发展。
太阳能光伏组件基本结构由上到下由5层组成:上层高透型光伏玻璃﹑上层高透胶膜﹑电池片﹑下层胶膜﹑光伏背板或下层光伏玻璃。由于这种结构,太阳光从玻璃入射,经过上层高透胶膜,到达电池片实现光电转换,太阳光在电池片间的间隔以及电池片与组件边缘的空白处的光线都会漏掉,如果最下面是光伏玻璃,那么太阳光会直接射出100%都损失掉,如果是光伏背板,由于背板反射率不高,只有70-80%的光线被反射到电池片表面继续发电,这样也有20-30%的太阳光被损失掉。目前常规的白色EVA胶膜仍然存在增益效果有限、反射率低等影响很难在进一步提升组件的发电效率,同时常规的白色EVA胶膜由于反光填料的加入,导致胶膜的阻水性较差,有些在水面电站应用的光伏组件在电站上使用时间较短就会出现白色胶膜与背板出现脱层失效的情况。因此,通过合理的胶膜复合技术,合理设计一款双层复合的高可靠高增益的白色EVA与PO复合胶膜是目前急需解决的。
发明内容
本实用新型需要解决的技术问题是提供一种双层抗PID高增益白色EVA与PO复合光伏胶膜。
为解决上述的技术问题,本实用新型的一种双层抗PID高增益白色EVA与PO复合光伏胶膜,由上方的透明PO层和下方的白色反光EVA层构成;所述白色反光EVA层表面设置有金字塔型的反光结构,所述透明PO层流延涂敷到白色反光EVA层表面的反光结构上。
优选的,所述透明PO层的厚度为50-300μm。
优选的,所述中间白色反光EVA层的厚度为250-550μm。
优选的,所述金字塔型的反光结构的高度为10-100μm。
采用上述结构后,本实用新型具有以下优点:
通过合理的金字塔漫反射结构的设计技术及正面的流延涂敷技术,制备的双层EVA与PO复合白膜比常规的白色EVA胶膜拥有更好的耐水汽透过和电极化性,有效增加组件的抗PID性能,正面涂敷的透明PO层可以有效保证反光结构层不受挤压变形,且增加了白色胶膜层与电池片之间的粘结,降低成本的同时保证了组件的可靠性。
下层白色EVA反射层,通过金字塔漫反射结构的设计,其结构是亚光学级,结构设计金字塔高度在10~100μm,其可加工制备性好,能够有效达到光线的漫反射效果,有效增加了组件的发电效率。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细的说明。
图1为本实用新型一种双层抗PID高增益白色EVA与PO复合光伏胶膜的结构示意图。
图2为本实用新型反光结构示意图。
图中:1为透明PO层,2为白色反光EVA层,4为反光结构。
具体实施方式
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于常州斯威克光伏新材料有限公司,未经常州斯威克光伏新材料有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201920309598.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的