[实用新型]一种高电位治疗仪专用的交流稳压电路

权利要求书

1.一种高电位治疗仪专用的交流稳压电路，其特征在于：包括供电电源模块和工频逆变电源电路，所述工频逆变电源电路包括可编程SPWM控制器、闭锁电路、DC-DC降压式稳压电路、MOS管驱动电路、H桥电路和工频升压及滤波电路，所述供电电源模块分别与DC-DC降压式稳压电路、MOS管驱动电路和H桥电路电连接，所述DC-DC降压式稳压电路分别与可编程SPWM控制器U1、闭锁电路和MOS管驱动电路电连接，所述可编程SPWM控制器U1分别与MOS管驱动电路和闭锁电路电连接，所述闭锁电路、MOS管驱动电路、H桥电路、工频升压及滤波电路依次电连接。

2.根据权利要求1所述的一种高电位治疗仪专用的交流稳压电路，其特征在于：所述可编程SPWM控制器U1分别电连接有12MHz晶体振荡电路和电源指示电路。

3.根据权利要求1所述的一种高电位治疗仪专用的交流稳压电路，其特征在于：所述MOS管驱动电路包括MOS管驱动器U2，闭锁电路包括三极管Q3、电阻R32、电阻R33、三极管Q2、电阻R30和电阻R31，所述三极管Q3的发射极电连接可编程SPWM控制器U1的SPWMOUT4端，三极管Q3的基极通过电阻R32电连接可编程SPWM控制器U1的SPWMOUT3端，三极管Q3的集电极电连接MOS管驱动器U2的LIN端，三极管Q3的集电极通过电阻R33电连接电源电路GND端，所述三极管Q2的发射极电连接可编程SPWM控制器U1的SPWMOUT3端，三极管Q2的基极通过电阻R30电连接可编程SPWM控制器U1的SPWMOUT4端，三极管Q2的集电极电连接MOS管驱动器U2的HIN端，三极管Q2的集电极通过电阻R31电连接电源电路GND端。

4.根据权利要求1所述的一种高电位治疗仪专用的交流稳压电路，其特征在于：所述DC-DC降压式稳压电路包括开关电源芯片QW1，所述开关电源芯片QW1中的IN端连接有并联的电容CW2、电容CW3和电容CW11的一端，电容CW2、电容CW3和电容CW11的另一端连接开关电源芯片QW1中的GND端，电容CW2一端连接有+12V输入电压，开关电源芯片QW1中的OUT端依次串联有电感LW2、+5V输入电压和电容CM14，并连接有与电感LW2、电容CM14并联的二极管DW1，开关电源芯片QW1中FB端连接在电感LW2和电容CM14之间，开关电源芯片QW1中的ON/OFF端与+5V输入电压之间设有与电容CM14并联的电容CW1，所述开关电源芯片QW1中的ON/OFF端与开关电源芯片QW1中的GND端连接，并连接至电源电路GND端。

5.根据权利要求1所述的一种高电位治疗仪专用的交流稳压电路，其特征在于：所述MOS管驱动电路为悬浮式自举MOS管驱动电路，其包括MOS管驱动器U2和MOS管驱动器U3，所述MOS管驱动器U2的LIN端和HIN端连接至闭锁电路，MOS管驱动器U2的VDD端连接有并联的电容C5和电容C6，所述电容C6两端分别连接有电源电路GND端和+5V输入电压，MOS管驱动器U2的VB端和VCC端之间连接有二极管D2，MOS管驱动器U2的VCC端和COM端之间连接有并联的电容C3和电容C4，所述电容C4两端分别连接有电源电路GND端和+12V输入电压，MOS管驱动器U2的VB端通过电容C2连接至H桥电路，MOS管驱动器U2的HO端、VS端和LO端连接至H桥电路；所述MOS管驱动器U3的LIN端和HIN端分别连接可编程SPWM控制器U1的SPWMOUT2端和SPWMOUT1端，MOS管驱动器U3的VDD端连接有并联的电容C13和电容C14，所述电容C14两端分别连接有电源电路GND端和+5V输入电压，MOS管驱动器U3的VB端和VCC端之间连接有二极管D3，MOS管驱动器U2的VCC端和COM端之间连接有并联的电容C11和电容C12，所述电容C12两端分别连接有电源电路GND端和+12V输入电压，MOS管驱动器U3的VB端通过电容C8连接至H桥电路，MOS管驱动器U3的HO端、VS端和LO端连接至H桥电路。