[实用新型]一种低功耗防盗报警RFID标签

权利要求书

1.一种低功耗防盗报警RFID标签，其特征在于，包括RFID芯片，所述RFID芯片的Vin2输入端连接有通信天线，所述RFID芯片的VP端与PMOS管MP的漏极连接，所述RFID芯片的VA端与保险电路的VA端连接，所述RFID芯片的VAD端与报警电路的VAD端连接，所述RFID芯片的接地端接地；

所述PMOS管MP的栅极和与门AND的输出端连接，所述PMOS管MP的源极与电源VDD连接；所述与门AND的第一输入端与唤醒电路的VT端连接，所述与门AND的第二输入端与保险电路的VA端连接；所述唤醒电路的Vin1端与整流天线连接，所述唤醒电路的接地端接地，所述唤醒电路的电源输入端与电源VDD连接；所述保险电路的第一输出端与电源VDD连接，所述保险电路的VF端口通过保险线与电源VDD连接，所述保险电路的接地端接地；所述报警电路的输入端与所述电源VDD连接，所述报警电路的接地端接地，所述保险线的电性连接发生断裂即可引起报警电路的连通，继而引发报警装置发出报警信号。

2.根据权利要求1所述的一种低功耗防盗报警RFID标签，其特征在于，所述唤醒电路包括电压检测芯片VD1，所述电压检测芯片VD1的输出端上经电阻R1与电源连接，所述电压检测芯片VD1的VT输出端还和与门AND的一端输入连接，所述电压检测芯片VD1的输入端上连接有整流天线。

3.根据权利要求1所述的一种低功耗防盗报警RFID标签，其特征在于，所述保险电路包括电压检测芯片VD2，所述电压检测芯片VD2的输出端与VA端连接，所述电压检测芯片VD2的输出端还经上拉电阻R2与电源VDD连接，所述电压检测芯片VD2的输出端与PMOS管M3的漏极连接，所述PMOS管M3的源极与电源VDD连接，所述PMOS管M3的栅极经电阻R3与保护线连接，所述PMOS管M3的栅极经电阻R4接地，所述电压检测芯片VD2的接地端接地。

4.根据权利要求1所述的一种低功耗防盗报警RFID标签，其特征在于，所述报警电路包括电阻R5、电感L1、电容C1、NMOS管M4、电感L2和NMOS管M5，所述电阻R5、电感L1、电容C1并联后的一端与电源VDD连接，另一端与NMOS管M4的漏极连接，所述NMOS管M4的源极与NMOS管M5的漏极连接，所述NMOS管M4的栅极经电感L2接地，所述NMOS管M5的栅极与VAD端口连接，所述NMOS管M5的源极接地。

5.根据权利要求2所述的一种低功耗防盗报警RFID标签，其特征在于，所述电压检测芯片VD1包括高压监控电路、中压监控电路和低压检测电路，所述高压监控电路的VO输出端与中压监控电路的控制端连接，所述中压监控电路的VIN输出端与所述低压监控电路的监控端连接，所述中压监控电路的VO输出端与低压监控电路的控制端连接，所述高压监控电路的开漏输出端VOD1、中压监控电路的开漏输出端VOD2和低压监控电路的开漏输出端VOD3均与VOD端连接，所述高压监控电路的输入端和中压监控电路的输入端均与监控对象的VIN端连接，所述高压监控电路、中压监控电路和低压监控电路的接地端均接地。

6.根据权利要求3所述的一种低功耗防盗报警RFID标签，其特征在于，所述电压检测芯片VD2和电压检测芯片VD1的电路连接相同。