[实用新型]辅助破真空装置有效
申请号: | 201920324386.X | 申请日: | 2019-03-14 |
公开(公告)号: | CN209804601U | 公开(公告)日: | 2019-12-17 |
发明(设计)人: | 武群;张涛;赵宏清 | 申请(专利权)人: | 米亚索乐装备集成(福建)有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L31/18 |
代理公司: | 11429 北京中济纬天专利代理有限公司 | 代理人: | 覃婧婵 |
地址: | 362005 福建*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 外筒体 内筒体 真空装置 弹性件 第一端部 本实用新型 破真空装置 破真空 通气口 侧壁 气口 相抵 辅助真空装置 第二端部 紧密贴合 外界连通 对齐 体内部 内筒 外筒 体内 封闭 | ||
1.一种辅助破真空装置,其特征在于,包括:
外筒体(1),所述外筒体(1)的第一端部(12)与真空装置(200)连接,所述外筒体(1)的侧壁上设有至少一个第一通气口(11);
内筒体(2),紧密贴合地设置于所述外筒体(1)内,所述内筒体(2)的第一端部(22)封闭并靠近所述外筒体(1)的第二端部(16)设置,所述内筒体(2)的侧壁上设有至少一个第二通气口(21);
以及,弹性件(3),所述弹性件(3)的一端与所述内筒体(2)相抵持,所述弹性件(3)的另一端与所述外筒体(1)相抵持,所述弹性件(3)用于在所述真空装置(200)内部的真空度小于所述内筒体(2)内部的真空度时,带动所述内筒体(2)向远离所述外筒体(1)的第一端部(12)的方向运动,使得所述第一通气口(11)与所述第二通气口(21)对齐,以使所述真空装置(200)与外界连通。
2.根据权利要求1所述的辅助破真空装置,其特征在于,在所述真空装置(200)内部的真空度大于所述内筒体(2)内部的真空度时,所述内筒体(2)在真空力作用下向靠近所述外筒体(1)的第一端部(12)的方向运动,使得所述第一通气口(11)与所述第二通气口(21)错开,以使所述真空装置(200)与外界不连通。
3.根据权利要求2所述的辅助破真空装置,其特征在于,
所述外筒体(1)包括滑槽结构(13),设置于所述外筒体(1)的内侧壁上;
所述内筒体(2)包括凸起结构(23),设置于所述内筒体(2)的外侧壁上;
所述凸起结构(23)能够在所述滑槽结构(13)内滑动,以使所述内筒体(2)向靠近或远离所述外筒体(1)的第一端部(12)的方向运动。
4.根据权利要求3所述的辅助破真空装置,其特征在于,
所述滑槽结构(13)包括第一导向槽部(131)和第二导向槽部(132);
在所述内筒体(2)向靠近所述外筒体(1)的第一端部(12)的方向运动时,所述凸起结构(23)在所述第一导向槽部(131)内滑动,以使所述第一通气口(11)与所述第二通气口(21)错开;
在所述内筒体(2)向远离所述外筒体(1)的第一端部(12)的方向运动时,所述凸起结构(23)在所述第二导向槽部(132)内滑动,以使所述第一通气口(11)与所述第二通气口(21)对齐。
5.根据权利要求4所述的辅助破真空装置,其特征在于,所述滑槽结构(13)还包括分隔件(133),设置于所述滑槽结构(13)内,用于分隔所述滑槽结构(13)以形成所述第一导向槽部(131)和所述第二导向槽部(132)。
6.根据权利要求3所述的辅助破真空装置,其特征在于,所述滑槽结构(13)还包括槽口部(134),用于在所述内筒体(2)向靠近所述外筒体(1)的第一端部(12)的方向运动时,引导所述凸起结构(23)移动到所述滑槽结构(13)内。
7.根据权利要求3所述的辅助破真空装置,其特征在于,所述外筒体(1)还包括台阶结构(14),设置于所述外筒体(1)的内侧壁上,并位于所述滑槽结构(13)的上方,所述外筒体(1)通过所述台阶结构(14)与所述弹性件(3)的另一端相抵持。
8.根据权利要求1所述的辅助破真空装置,其特征在于,所述外筒体(1)还包括螺纹结构(15),设置于所述外筒体(1)的靠近所述外筒体(1)的第一端部(12)的外侧壁上。
9.根据权利要求1-8任一所述的辅助破真空装置,其特征在于,所述辅助破真空装置(100)还包括端盖(4),盖设于所述外筒体(1)的第二端部(16)上。
10.一种外观检测系统,用于薄膜太阳能电池芯片的外观检测,其特征在于,包括如权利要求1-9任一所述辅助破真空装置(100)以及真空装置(200),所述辅助破真空装置(100)与所述真空装置(200)相连接,用于辅助所述真空装置(200)的破真空。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造