[实用新型]一种LPCVD反应室的工艺气体注入系统有效
| 申请号： | 201920327581.8 | 申请日： | 2019-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN209816274U | 公开（公告）日： | 2019-12-20 |
| 发明（设计）人： | 王锦;李明 | 申请（专利权）人： | 湖南红太阳光电科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/455 | 分类号： | C23C16/455 |
| 代理公司： | 43008 湖南兆弘专利事务所(普通合伙) | 代理人： | 周长清;戴玲 |
| 地址： | 410205 湖南省*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 反应室 常闭气动阀 常开气动阀 进气管路 本实用新型 反应气体 硅烷 互锁 磷烷 氧气 反应气体进气管 多晶硅工艺 氧化硅工艺 氧气进气管 工艺气体 易燃易爆 注入系统 氮化硅 助燃剂 燃爆 连通 上游 | ||
1.一种LPCVD反应室的工艺气体注入系统，其特征在于：包括分别与反应室(1)连通的第一进气管路(2)和第二进气管路(3)，所述第一进气管路(2)设有第一常闭气动阀(21)，所述第二进气管路(3)设有常闭气动阀和第二常开气动阀(31)，所述常闭气动阀(4)位于第二常开气动阀(31)的上游，所述第一常闭气动阀(21)与第二常开气动阀(31)互锁。
2.根据权利要求1所述的LPCVD反应室的工艺气体注入系统，其特征在于：所述工艺气体注入系统还包括与反应室(1)连通的第三进气管路(5)，所述第三进气管路(5)设有常闭气动阀和第三常开气动阀(51)，所述常闭气动阀位于第三常开气动阀(51)的上游，所述第一常闭气动阀(21)与第三常开气动阀(51)互锁。
3.根据权利要求2所述的LPCVD反应室的工艺气体注入系统，其特征在于：所述工艺气体注入系统还包括与反应室(1)连通的第四进气管路(6)，所述第四进气管路(6)设有常闭气动阀和第四常开气动阀(61)，所述常闭气动阀位于第四常开气动阀(61)的上游，所述第一常闭气动阀(21)与第四常开气动阀(61)互锁。
4.根据权利要求3所述的LPCVD反应室的工艺气体注入系统，其特征在于：所述工艺气体注入系统还包括与反应室(1)连通的第五进气管路(7)，所述第五进气管路(7)设有常闭气动阀和第五常开气动阀(71)，所述常闭气动阀位于第五常开气动阀(71)的上游，所述第一常闭气动阀(21)与第五常开气动阀(71)互锁。
5.根据权利要求4所述的LPCVD反应室的工艺气体注入系统，其特征在于：所述第一进气管路(2)通入的气体为氧气，所述第二进气管路(3)通入的气体为硅烷和磷烷混合气体，所述第三进气管路(5)通入的气体为硅烷、磷烷和氮气的混合气体，所述第四进气管路(6)通入的气体为硅烷和氮气的混合气体，所述第五进气管路(7)通入的气体为磷烷和氮气的混合气体。
6.根据权利要求5所述的LPCVD反应室的工艺气体注入系统，其特征在于：所述工艺气体注入系统还包括第六进气管路(8)，所述第六进气管路(8)设有常闭气动阀，所述第六进气管路(8)通入的气体为氮气。
7.根据权利要求1至6任意一项所述的LPCVD反应室的工艺气体注入系统，其特征在于：各常开气动阀为1/4英寸常开气动隔膜阀。
8.根据权利要求1至6任意一项所述的LPCVD反应室的工艺气体注入系统，其特征在于：各常闭气动阀为1/4英寸常闭气动隔膜阀。
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C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
