[实用新型]一种全桥LLC变换器

权利要求书

1.一种全桥LLC变换器，其特征在于，包括第一MOSFET开关、第二MOSFET开关、第三MOSFET开关、第四MOSFET开关、第一寄生电容、第二寄生电容、第一谐振电容、第二谐振电容、第一谐振电感、第二谐振电感、变压器、电源、第一二极管、第二二极管、第三二极管、第四二极管、第一电容、第二电容、第三寄生电容、第四寄生电容；

其中，所述第一MOSFET开关的源极与所述第三MOSFET开关的漏极相连接；

所述第二MOSFET开关的源极与所述第四MOSFET开关的漏极相连接；

所述第一MOSFET开关的漏极与所述第二MOSFET开关的漏极相连接；

所述第三MOSFET开关的源极与所述第四MOSFET开关的源极相连接；

所述第三MOSFET开关的漏极与地之间存在第一寄生电容；

所述第四MOSFET开关的漏极与地之间存在第二寄生电容；

所述第二MOSFET开关的源极与第一谐振电容相连接；

所述第一谐振电容与第一谐振电感相连接；

所述第四MOSFET开关的漏极与第二谐振电容相连接；

所述第二谐振电容与第二谐振电感相连接；

所述第一谐振电感、第二谐振电感与所述变压器相连接；

所述第一谐振电容、第一谐振电感与所述第二谐振电容、第二谐振电感对称设置于所述变压器的两端；

所述电源的正极与第一二极管的阴极、第三二极管的阴极以及第一电容相连接；

所述电源的负极与第二二极管的阳极、第四二极管的阳极以及第二电容相连接；

所述第一二极管的阳极与所述第二二极管的阴极相连接；

所述第三二极管的阳极与所述第四二极管的阴极相连接；

所述第一二极管的阳极与地之间存在第三寄生电容；

所述第四二极管的阴极与地之间存在第四寄生电容。

2.根据权利要求1所述的全桥LLC变换器，其特征在于，所述变压器包括磁芯、绕制在所述磁芯外部的第一原边绕组、绕制在所述第一原边绕组外的第一屏蔽层、绕制在所述第一屏蔽层外的多个副边绕组、绕制在所述副边绕组外的第二屏蔽层以及绕制在所述第二屏蔽层外的第二原边绕组。

3.根据权利要求1所述的全桥LLC变换器，其特征在于，所述变压器包括磁芯、2m 个原边绕组以及2n个副边绕组，m、n为自然数。

4.根据权利要求3所述的全桥LLC变换器，其特征在于，以所述原边绕组的m至m+1匝的中点作为原边的电位静态点，所述副边绕组的n至n+1匝的中点作为副边的电位静态点。

5.根据权利要求4所述的全桥LLC变换器，其特征在于，在所述变压器中，将所述原边的电位静态点、所述副边的电位静态点作为绕组匹配的参考点。

6.根据权利要求5所述的全桥LLC变换器，其特征在于，所述原边绕组的第m+1匝至第m+n匝分别对应副边绕组的第n+1匝指第2n匝，所述原边绕组的第m-n+1匝至第m匝分别对应副边绕组的第1匝至第n匝，所述原边绕组的第m+n+1匝至第2m匝未匹配，所述原边绕组的第1匝至第m-n匝未匹配。

7.根据权利要求6所述的全桥LLC变换器，其特征在于，所述变压器为绕线式变压器。

8.根据权利要求7所述的全桥LLC变换器，其特征在于，所述绕线式变压器包括磁芯、缠绕在所述磁芯外部的第一原边绕组、设置在所述第一原边绕组外的第一绝缘层、缠绕在所述第一绝缘层外的多个副边绕组、设置在所述副边绕组外的第二绝缘层以及缠绕在所述第二绝缘层外的第二原边绕组。

9.根据权利要求6所述的全桥LLC变换器，其特征在于，所述变压器为平面变压器。

10.根据权利要求9所述的全桥LLC变换器，其特征在于，所述平面变压器包括：原边未匹配的第1匝至第m-n匝，放置于所述平面变压器的底层或所述平面变压器PCB的底层至m-n层；原边未匹配m+n+1匝至2m匝，放置于顶层或平面变压器PCB的第m+n+1至2m层；中间层为原副边的匹配绕组，从下至上中间层绕组放置的顺序为：原边的m-n+1匝、副边的第1匝、副边的第2匝、原边的第m-n+2匝、原边的第m-n+3、副边的第3匝、副边的第4匝。