[实用新型]CFexpress规格的记忆卡构造有效
申请号: | 201920346074.9 | 申请日: | 2019-03-19 |
公开(公告)号: | CN209708162U | 公开(公告)日: | 2019-11-29 |
发明(设计)人: | 张双德;高志杰 | 申请(专利权)人: | 宜鼎国际股份有限公司 |
主分类号: | G06K19/077 | 分类号: | G06K19/077;G06F13/40 |
代理公司: | 11100 北京北新智诚知识产权代理有限公司 | 代理人: | 朱丽华<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;TW |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 壳盖 写保护开关 壳体 电路板 记忆卡 电性连接电路板 本实用新型 容置空间 指拨开关 接合 写保护 凸设 拨动 写入 | ||
本实用新型提出一种CFexpress规格的记忆卡构造,包括一壳体、一电路板及一写保护开关,壳体包括一第一壳盖及一第二壳盖,写保护开关电性连接电路板,当第一壳盖及第二壳盖相互接合时,电路板及写保护开关设置在第一壳盖及第二壳盖间的容置空间中,且写保护开关的一指拨开关件将凸设于壳体之外;则,用户经由拨动实体的写保护开关至一数据的写保护位置,以禁止数据写入至记忆卡中。
技术领域
本实用新型有关于一种记忆卡构造,尤指一种具备写保护开关的 CFexpress规格的记忆卡构造。
背景技术
随着影片及相片的分辨率质量的提升,因此,对于记忆卡的储存空间以及访问速度的要求也越来越高,以便可以应付高分辨率的影片及相片的传输及储存。CFexpress规格记忆卡为目前CompactFlash协会所发表的新一代规格的记忆卡,其最高速度高达每秒8GB,比起现今最顶级的XQD 记忆卡的最高速度1GB快上许多。
以往常用的SD、CF规格等等记忆卡都有设计写保护的功能,例如:写保护开关。利用写保护开关的操作,以保护SD、CF规格等等记忆卡内的数据不被修改。
然而,目前新发表的CFexpress规格记忆卡都无写保护功能的相关设计。于此,本实用新型将提出一种具写保护功能的CFexpress规格记忆卡,以藉由写保护的功能禁止记忆卡被写入数据,将会是本实用新型的目的。
实用新型内容
本实用新型的一目的,在于提出一种CFexpress规格的记忆卡构造,其内存的构造中设置有一实体的写保护开关,使用者可以经由拨动实体的写保护开关至一数据写保护的位置,以禁止记忆卡被写入数据或所储存的数据被修改。
为达成上述目的,本实用新型提供一种CFexpress规格的记忆卡构造,包括:一壳体,包括一第一壳盖及一第二壳盖;一电路板;及一写保护开关,设置在电路板之上,包括有一指拨开关件,当第一壳盖与第二壳盖接合一起时,电路板及写保护开关摆设在第一壳盖及第二壳盖间的容置空间中,且写保护开关的指拨开关件将凸设于壳体之外。
本实用新型一实施例中,较佳的,第一壳盖之上表面上包括有一开口部,指拨开关件从开口部凸出于壳体之外。
本实用新型一实施例中,较佳的,第一壳盖与第二壳盖接合处有一凹陷区,指拨开关件从凹陷区凸出于壳体之外。
本实用新型实施例中,较佳的,写保护开关的指拨开关件处在一第一位置时,CFexpress规格之记忆卡允许写入数据,写保护开关的指拨开关件处在一第二位置时,CFexpress规格之记忆卡禁止写入数据。
本实用新型一实施例中,较佳的,电路板包括一控制器、复数个闪存、一第一电阻及写保护开关,写保护开关之一端接地,第一电阻之一端连接一供电电源而另一端连接写保护开关之另一端,闪存连接控制器以及透过一写保护脚位连接写保护开关与第一电阻间之一连接点,当写保护开关断开时,写保护脚位上的讯号被拉升至一高电位,CFexpress规格之记忆卡允许数据写入至闪存,当写保护开关导通时,写保护脚位经由写保护开关接地且写保护脚位上的讯号被拉降至一低电位,CFexpress规格之记忆卡禁止数据写入至闪存。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单介绍,显而易见地,下面描述中的附图是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1:本实用新型CFexpress规格的记忆卡一实施例的构造分解图。
图2:本实用新型CFexpress规格的记忆卡的写保护开关位在第一位置时的一实施例的示意图。
图3:本实用新型CFexpress规格的记忆卡的写保护开关位在第二位置时的一实施例的示意图。
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