[实用新型]一种用于平板式镀膜系统的硅片承载架及载板有效
申请号: | 201920350346.2 | 申请日: | 2019-03-19 |
公开(公告)号: | CN209873097U | 公开(公告)日: | 2019-12-31 |
发明(设计)人: | 何振杰 | 申请(专利权)人: | 杭州海莱德智能科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458;H01L21/673;H01L31/18 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 310051 浙江省杭州市滨*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 承载 硅片 侧面 本实用新型 垂直面 载板 镀膜系统 硅片承载 上下表面 承载框 平板式 受热 承载孔 承载柱 镀膜 加热 取放 遮挡 垂直 | ||
本实用新型的一种用于平板式镀膜系统的硅片承载架,包括承载孔和承载框,承载框用以承载硅片,且包括第一承载侧面、承载垂直面和第二承载侧面;第一承载侧面和第二承载侧面通过承载垂直面连接,第一承载侧面和第二承载侧面均由内往外逐渐向外倾斜,第一承载侧面和第二承载侧面与承载垂直面所形成的夹角α均为100‑150°;承载垂直面上均匀分布有多个用以承载硅片的承载柱。本实用新型的用于平板式镀膜系统的硅片承载架及载板,减少了硅片与载板的接触面积,实现了硅片的良好受热,硅片被加热的更快,防止绕镀现象,硅片载板稳定性好,易于取放硅片。本实用新型避免了硅片上下表面的遮挡,可实现上下表面同时镀膜。
技术领域
本实用新型涉及光伏设备领域,更具体地说,涉及一种用于平板式镀膜系统的硅片承载架及载板。
背景技术
太阳能电池是光伏发电核心器件,在太阳能电池生产过程中,硅片放置在载板上,由载板承载进入太阳能电池镀膜设备,在设备中进行工艺制程反应,工艺制程中会生成氧化铝及氮化硅等物质,该物质附着能力较强,普通材料的载板被附着后难以清洗。同时,工艺制程的过程,腔室加热到400℃高温,最高达到600℃,在高温的环境中,载板受热变形也是一技术难题,变形过大,导致工艺效果差,产品性能不达标。电池镀膜设备输送线之间跨度大,传输系统由于结构受限,同时基于成本考虑,无法做到大功率、高扭矩,这样导致传输系统不能承受较重的载板,所以硅片载板的材料及结构是一大挑战。载板既要尺寸大、重量轻、热变形小、强度高、刚性好。此外,硅片在制程工艺中,硅片需要被加热,底部遮挡严重则加热时间长,热量大部分被载板带走,能耗高且不利于硅片的受热。
申请号为201621385774.1的中国实用新型专利提供了一种斜承载面碳纤维载板,是对板式PECVD工艺中的硅片载板的结构改进,在载板上开设有用于装载硅片的槽,槽的边沿具有用于托住硅片的承载面,承载面是向槽内倾斜的斜托面,斜托面布置在被承载硅片的至少两个侧边上。本实用新型将载板与硅片的接触面从现有的90°平台阶面改进成斜托面,进而将硅片和载板接触由面接触改成线接触,极大减少接触面,避免镀膜生产过程中的影响,避免膜层不利影响,提高了电池片的镀膜效率。该种结构虽然在申请号为01420788733.1的中国实用新型专利基础上将现有的90°平台阶面改进成斜托面以减小硅片与载板的接触面积,但是由于硅片与载板线接触,在长时间加热及硅片自身重力作用下,线接触的硅片与载板之间形成一定的咬合力而易于导致后续硅片不易取走,而且硅片受热后在自重情况下没有承托会产生下凹形变而影响硅片品质。
实用新型内容
有鉴于此,本实用新型的目的在于提供一种用于平板式镀膜系统的硅片承载架及载板,从载板结构入手,减少了硅片与载板的接触面积,实现了硅片的良好受热,硅片被加热的更快,防止绕射现象,硅片载板稳定性好,易于取放硅片。同时避免了硅片上下表面的遮挡,可实现在上下表面同时镀膜,提高了设备的适应能力。
为了达到上述目的,本实用新型提供如下技术方案:
一种用于平板式镀膜系统的硅片承载架,包括承载孔和承载框,所述承载框用以承载硅片,且包括第一承载侧面、承载垂直面和第二承载侧面;
所述第一承载侧面和所述第二承载侧面通过所述承载垂直面连接,所述第一承载侧面和所述第二承载侧面均由内往外逐渐向外倾斜,所述第一承载侧面和所述第二承载侧面与所述承载垂直面所形成的夹角α均为100-150°;
所述承载垂直面上均匀分布有多个用以承载硅片的承载柱。
优选的,所述承载柱在所述承载垂直面上等距分布。
优选的,所述承载柱设置在相对的两个承载垂直面上,且每个承载垂直面上设置有两个承载柱。
优选的,所述承载垂直面的垂直高度为1-2mm。
优选的,所述第一承载侧面和所述第二承载侧面与所述承载垂直面所形成的夹角α均为 120°。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杭州海莱德智能科技有限公司,未经杭州海莱德智能科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201920350346.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的