[实用新型]一种弯曲传感器有效
| 申请号： | 201920354867.5 | 申请日： | 2019-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN209961161U | 公开（公告）日： | 2020-01-17 |
| 发明（设计）人： | 朱建雄 | 申请（专利权）人： | 深圳市柔纬联科技有限公司 |
| 主分类号： | G01B7/16 | 分类号： | G01B7/16 |
| 代理公司： | 44385 深圳市世联合知识产权代理有限公司 | 代理人： | 汪琳琳 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙华区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 弯曲传感器 驻极体薄膜 本实用新型 传感器部 电极膜 器件输出电压 表面结构 测量装置 弯曲方向 微纳结构 处理面 传感 | ||
1.一种弯曲传感器，其特征在于，其包括传感器部，该传感器部包括一对电极膜以及设置在一对所述电极膜之间的驻极体薄膜；所述驻极体薄膜朝向弯曲方向的一面为微纳处理面。
2.根据权利要求1所述的弯曲传感器，其特征在于，所述驻极体薄膜为聚四氟乙烯驻极体薄膜、聚全氟乙丙烯驻极体薄膜、聚丙烯驻极体薄膜、聚偏二氟乙烯驻极体薄膜和左旋聚乳酸驻极体薄膜的任一种。
3.根据权利要求1所述的弯曲传感器，其特征在于，所述驻极体薄膜的厚度范围为10μm-10mm。
4.根据权利要求1所述的弯曲传感器，其特征在于，所述电极膜包括柔性基底及位于所柔性基底一侧的电极层。
5.根据权利要求4所述的弯曲传感器，其特征在于，所述电极层的厚度范围为1nm-2mm。
6.根据权利要求4所述的弯曲传感器，其特征在于，所述电极层材料为含导电碳黑的硅胶。
7.根据权利要求1所述的弯曲传感器，其特征在于，所述微纳处理面是通过倒模或压印的方法在所述驻极体薄膜表面构建微纳结构。
8.根据权利要求1所述的弯曲传感器，其特征在于，所述微纳处理面是通过物理化学法处理所述驻极体薄膜表面以构建微纳结构。
9.根据权利要求8所述的弯曲传感器，其特征在于，所述物理化学法为等离子体增强化学气相沉积或RIE等离子刻蚀方法。
10.一种测量装置，其特征在于，其具有如权利要求1至9任一所述的弯曲传感器。
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