[实用新型]一种充电检测电路有效

专利信息
申请号: 201920365363.3 申请日: 2019-03-21
公开(公告)号: CN209765023U 公开(公告)日: 2019-12-10
发明(设计)人: 吕英杰 申请(专利权)人: 天津鹏翔华夏科技有限公司
主分类号: G01R31/385 分类号: G01R31/385;G01R31/392
代理公司: 11684 北京沁优知识产权代理事务所(普通合伙) 代理人: 汪发成
地址: 300000 天津市滨海新区经济*** 国省代码: 天津;12
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摘要:
搜索关键词: 本实用新型 恒流源模块 输出 启动模块 电平转换模块 电压比较模块 恒定电流信号 模拟电压信号 检测 充电检测电路 外部检测信号 初始化信号 安全性能 充电过程 电路结构 电路能耗 电气故障 检测信号 接收电平 转换模块 初始化 转换 能耗 转化 改进 保证
【权利要求书】:

1.一种充电检测电路,其特征在于,包括:

检测启动模块,所述检测启动模块用来接收外部检测信号并进行初始化;

电平转换模块,所述电平转换模块接收来自所述检测启动模块的初始化信号并转化为电压信号输出;

恒流源模块,所述恒流源模块接收所述电平转换模块输出的电压信号并转换为恒定电流信号输出;

电压比较模块,所述电压比较模块将所述恒流源模块输出的恒定电流信号转换为检测信号输出。

2.如权利要求1所述的充电检测电路,其特征在于,所述检测启动模块包括一个二输入与门电路,所述二输入与门电路的两个输出端分别设置为断电输入端和状态设置端。

3.如权利要求1所述的充电检测电路,其特征在于,所述电平转换模块包括反相器、转换耗尽型PMOS管和转换耗尽型NMOS管,所述反相器包括第一反相器、第二反相器、第三反相器和第四反相器,所述转换耗尽型PMOS管包括第一转换耗尽型PMOS管和第二转换耗尽型PMOS管,所述转换耗尽型NMOS管包括第一转换耗尽型NMOS管和第二转换耗尽型NMOS管,所述第一反相器的输入端设置为所述电平转换模块的输入端且所述第一反相器与所述第二反相器同向串联连接;所述第二转换耗尽型PMOS管的栅极与所述第一反相器的输出端连接,所述第一转换耗尽型PMOS管的栅极与所述第二反相器的输出端连接,所述转换耗尽型PMOS管的源极均接地,所述第一转换耗尽型NMOS管的源极和所述第二转换耗尽型NMOS管的栅极均与所述第一转换耗尽型PMOS管的漏极连接,所述第一转换耗尽型NMOS管的栅极和所述第二转换耗尽型NMOS管的源极均与所述第二转换耗尽型PMOS管的漏极连接,所述第一转换耗尽型NMOS管和所述第二转换耗尽型NMOS管的漏极并联连接设置为模拟电源输入端,所述第三反相器和所述第四反相器同向串联连接且所述第三反相器的输入端与所述第二转换耗尽型PMOS管的漏极连接,所述第三反相器的输出设置为第一电压输出端,所述第四反相器的输出设置为第二电压输出端。

4.如权利要求3所述的充电检测电路,其特征在于,所述恒流源模块包括5个恒流耗尽型NMOS管,5个所述恒流耗尽型NMOS管分别为第一恒流耗尽型NMOS管、第二恒流耗尽型NMOS管、第三恒流耗尽型NMOS管、第四恒流耗尽型NMOS管和第五恒流耗尽型NMOS管,所述第一恒流耗尽型NMOS管的漏极设置为基准偏置电流输入端,所述第一恒流耗尽型NMOS管的栅极与所述第二电压输出端连接,所述第二恒流耗尽型NMOS管的栅极与所述第一电压输出端连接,所述第二恒流耗尽型NMOS管的漏极、第三恒流耗尽型NMOS管的漏极、第四恒流耗尽型NMOS管的漏极和所述第五恒流耗尽型NMOS管的栅极均并联连接到所述第一恒流耗尽型NMOS管的源极,所述第三恒流耗尽型NMOS管和所述第四恒流耗尽型NMOS管源极连接且同时与所述第一恒流耗尽型NMOS管的源极的连接,所述第二恒流耗尽型NMOS管、第三恒流耗尽型NMOS管、第四恒流耗尽型NMOS管和所述第五恒流耗尽型NMOS管的源极均接地。

5.如权利要求4所述的充电检测电路,其特征在于,所述电压比较模块包括一电压比较器、第一电阻和第二电阻,所述第四恒流耗尽型NMOS管的漏极并联连接有所述第一电阻和所述电压比较器的负输入端,所述第五恒流耗尽型NMOS管的漏极并联连接有所述第二电阻和所述电压比较器的正输入端;所述第一电阻的另一端设置为模拟电源输入端,所述第二电阻的另一端设置为充电电压输入端;所述电压比较器的输出端设置为检测状态输出端。

6.如权利要求5所述的充电检测电路,其特征在于,所述第一电阻的阻值比所述第二电阻的阻值小0.1~0.2MΩ。

7.如权利要求1所述的充电检测电路,其特征在于,所述电压比较模块的输出端连接有一缓冲器,所述缓冲器的输出端设置为检测信号输出端。

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