[实用新型]一种纳米级的气流传感器有效
| 申请号： | 201920367256.4 | 申请日： | 2019-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN209707539U | 公开（公告）日： | 2019-11-29 |
| 发明（设计）人： | 张忠山;李俊杰;顾长志;潘如豪 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | G01P5/08 | 分类号： | G01P5/08;G01P13/02 |
| 代理公司： | 11280 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郭广迅<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 传感单元 压阻薄膜 电极 纳米级 本实用新型 气流传感器 悬空 承载 衬底 折边 等分圆周 对称分布 高灵敏度 灵敏度 传感 感测 支撑 分辨 平行 垂直 自由 | ||
1.一种纳米级的气流传感器(1)，包括：4×N个气流传感单元(6)，其中，N为大于或等于1的整数；
所述气流传感单元(6)包括：
支撑衬底(2)；
承载部(3)，形成在所述支撑衬底(2)上；
压阻薄膜(5)，形成在所述承载部(3)上；
电极(4)，形成在所述压阻薄膜(5)上；
所述承载部(3)、压阻薄膜(5)和电极(4)一起形成悬空的部分；所述悬空的部分具有自由的三边以及一个折边；
所述电极(4)垂直于所述悬空的部分的折边平行地设置；
所述气流传感单元(6)以等分圆周的方式对称分布。
2.根据权利要求1所述的纳米级的气流传感器(1)，其特征在于，所述支撑衬底(2)为双面抛光的硅片和/或单面抛光的硅片。
3.根据权利要求2所述的纳米级的气流传感器(1)，其特征在于，所述硅片的厚度大于300um，晶向为[100]，电阻率小于100Ω·cm。
4.根据权利要求1所述的纳米级的气流传感器(1)，其特征在于，所述承载部(3)由氮化硅薄膜和/或氧化硅薄膜构成。
5.根据权利要求1所述的纳米级的气流传感器(1)，其特征在于，所述压阻薄膜(5)由石墨烯薄膜构成。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的纳米级的气流传感器(1)，其特征在于，所述承载部(3)的应力小于等于50MPa。
7.根据权利要求1-5中任一项所述的纳米级的气流传感器(1)，其特征在于，所述N个气流传感单元(6)结构上相互分离并且具有不耦合信号。
8.根据权利要求1-5中任一项所述的纳米级的气流传感器(1)，其特征在于，所述悬空的部分的形状为矩形。
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