[实用新型]一种PCIE SSD控制芯片结构有效
| 申请号： | 201920367370.7 | 申请日： | 2019-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN209842607U | 公开（公告）日： | 2019-12-24 |
| 发明（设计）人： | 李华东;董建国;徐军;段霆;袁庆 | 申请（专利权）人： | 深圳忆联信息系统有限公司 |
| 主分类号： | G06F13/16 | 分类号： | G06F13/16;G06F15/78 |
| 代理公司： | 44242 深圳市精英专利事务所 | 代理人： | 冯筠 |
| 地址： | 518067 广东省深圳市南山区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电源区域 本实用新型 芯片板 信号完整性 降低噪声 可靠保障 控制芯片 数据通路 保证 | ||
1.一种PCIE SSD控制芯片结构，其特征在于，包括芯片板体，设于所述芯片板体上的电源区域A和电源区域B；所述电源区域A和电源区域B相邻分布；所述电源区域A包括区域A1，区域A2，区域A3，及区域A4；所述区域A1设于所述芯片板体的一侧，所述区域A4设于所述芯片板体的另一侧，所述区域A3设于区域A1与区域A4之间。
2.根据权利要求1所述的一种PCIE SSD控制芯片结构，其特征在于，所述区域A3与区域A1，及区域A4之间均设有间隙。
3.根据权利要求2所述的一种PCIE SSD控制芯片结构，其特征在于，所述区域A2包括区域A2-1，区域A2-2，区域A2-3，及区域A2-4；所述A2-1与所述区域A1，区域A3，及区域A2-2相邻；所述区域A2-2与所述区域A2-1，区域A4，及区域A2-3相邻；所述区域A2-3与所述区域A2-2，区域A4，及区域A2-4相邻；所述区域A2-4与所述区域A2-3，区域A4，及电源区域B相邻；所述A2-1与所述区域A1，区域A3，及区域A2-2之间设有间隙，所述区域A2-2与所述区域A2-1，区域A4，及区域A2-3之间设有间隙，所述区域A2-3与所述区域A2-2，区域A4，及区域A2-4之间设有间隙，所述区域A2-4与所述区域A2-3，区域A4，及电源区域B之间设有间隙。
4.根据权利要求3所述的一种PCIE SSD控制芯片结构，其特征在于，所述区域A1用于放置DDR控制器以及对应的DDR PHY，与外部DDR的颗粒连接；所述区域A2-1，区域A2-2，区域A2-3，及区域A2-4用于放置NFC IO以及对应的NFC PHY；所述区域A3用于放置CPU，位于电源区域A的中心位置；所述区域A4用于放置NFC控制器。
5.根据权利要求4所述的一种PCIE SSD控制芯片结构，其特征在于，所述电源区域B包括区域B1，区域B2，区域B3，区域B4，及区域B5；所述区域B1设于所述区域A1的同侧，区域B5设于所述区域A4的同侧,所述区域B3和区域B4设于所述区域B1，及区域B5之间。
6.根据权利要求5所述的一种PCIE SSD控制芯片结构，其特征在于，所述区域B1，区域B3，区域B4，及区域B5之间均设有空隙。
7.根据权利要求6所述的一种PCIE SSD控制芯片结构，其特征在于，所述区域B2包括区域B2-1，区域B2-2，及区域B2-3；所述B2-1与所述区域B1，区域B3，及区域B4相邻，所述区域B2-2与所述区域B3，区域B4，及区域B5相邻，所述区域B2-3与所述区域B5，及区域A2-4相邻；所述所B2-1与所述区域B1，区域B3，及区域B4之间设有空隙，所述区域B2-2与所述区域B3，区域B4，及区域B5之间设有空隙，所述区域B2-3与所述区域B5，及区域A2-4之间设有空隙。
8.根据权利要求7所述的一种PCIE SSD控制芯片结构，其特征在于，所述区域B1用于放置Efuse和IO；所述B2-1，区域B2-2，及区域B2-3用于放置GPIO；所述区域B3用于放置PLL；所述区域B4用于放置PLL IO；所述区域B5用于放置PCIE。
9.根据权利要求8所述的一种PCIE SSD控制芯片结构，其特征在于，所述电源区域A和电源区域B设有选择性分布和局部选择性分布的镀金。
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