[实用新型]一种1342nm可调谐微片激光器有效
| 申请号： | 201920371751.2 | 申请日： | 2019-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN209418972U | 公开（公告）日： | 2019-09-20 |
| 发明（设计）人： | 孙桂侠;刘涛;熊明;金策;王晓鹏 | 申请（专利权）人： | 核工业理化工程研究院 |
| 主分类号： | H01S3/06 | 分类号： | H01S3/06;H01S3/16;H01S3/04;H01S3/0941 |
| 代理公司： | 天津创智天诚知识产权代理事务所(普通合伙) 12214 | 代理人： | 周庆路 |
| 地址： | 300180 *** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 激光晶体 可调谐 微片激光器 泵浦源 本实用新型 制冷机构 单纵模 后表面 晶体的 增透膜 调谐 半导体制冷片 间隔设置 控制晶体 频率稳定 输出 高反膜 高光束 前表面 无跳模 谐振腔 窄线宽 泵浦 壳体 腔镜 同轴 激光 体内 | ||
1.一种1342nm可调谐微片激光器，其特征在于：包括壳体，同轴间隔设置在所述的壳体内的880nmLD泵浦源和激光晶体，以及泵浦源制冷机构和激光晶体制冷机构，泵浦源从前表面a面泵浦进入所述的激光晶体内从后表面b面输出，所述的激光晶体的前表面a面镀880nm和1064nm增透膜和1342nm高反膜，晶体的后表面b面镀1064nm、880nm增透膜和1342nm透反膜。
2.根据权利要求1所述的一种1342nm可调谐微片激光器，其特征在于：所述的激光晶体为Nd：YVO4激光晶体。
3.根据权利要求1所述的一种1342nm可调谐微片激光器，其特征在于：所述的激光晶体的厚度为0.4mm，掺杂浓度为1％。
4.根据权利要求1所述的一种1342nm可调谐微片激光器，其特征在于：所述的激光晶体为方柱状。
5.根据权利要求1所述的一种1342nm可调谐微片激光器，其特征在于：激光晶体的后表面b面1342nm反射率为92％。
6.根据权利要求1所述的一种1342nm可调谐微片激光器，其特征在于：所述的壳体与所述的激光晶体相对地设置有出光孔，在所述的出光孔处设置有整形镜。
7.根据权利要求1所述的一种1342nm可调谐微片激光器，其特征在于：所述的壳体与所述的泵浦源相对地设置有供电孔，在所述的供电孔处设置有电源转接头。
8.根据权利要求1所述的一种1342nm可调谐微片激光器，其特征在于：泵浦源制冷机构包括用以支撑定位所述的泵浦源且由紫铜金属制备的泵浦源支架，贴合或嵌装在所述的泵浦源支架内的泵浦源半导体制冷片，以及用以承载所述的泵浦源支架的可调节底座。
9.根据权利要求1所述的一种1342nm可调谐微片激光器，其特征在于：激光晶体制冷机构包括用以支撑定位所述的激光晶体且由紫铜金属制备的晶体支架，贴合或嵌装在所述的激光晶体支架内的泵浦源晶体半导体制冷片。
10.根据权利要求9所述的一种1342nm可调谐微片激光器，其特征在于：所述的晶体支架上形成有与所述的激光晶体匹配的定位腔，所述的定位腔的底面中心形成有穿孔，激光晶体与泵浦源之间的距离为0.5-1.5cm。
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