[实用新型]一种高功率电晶体切换式电源半导体元器件分离模具有效
申请号: | 201920372869.7 | 申请日: | 2019-03-22 |
公开(公告)号: | CN209591988U | 公开(公告)日: | 2019-11-05 |
发明(设计)人: | 宋岩 | 申请(专利权)人: | 大连泰一半导体设备有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/78 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 116600 辽宁省大连市经*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 元器件 下模机构 半导体元器件 上模机构 切换式电源 下模刀具 上模 分离模具 滑动机构 上模导套 下模导柱 电晶体 高功率 滑道 安装元器件 本实用新型 功率电晶体 整体半导体 刀具导向 刀具位置 剪切 不良率 定位针 高效率 推拉杆 有效地 中心处 刀具 匹配 加工 | ||
一种高功率电晶体切换式电源半导体元器件分离模具,包括下模机构、上模机构和元器件滑动机构,下模机构中心处安装下模刀具,下模机构上位于下模刀具两侧安装元器件定位针,下模机构上安装下模导柱;上模机构上安装有与下模刀具位置相对应的上模刀具,上模机构上安装用来控制上模刀具位置的上模刀具导向块和上模导套,下模机构上安装的下模导柱与上模机构上安装的上模导套相互匹配安装,元器件滑动机构设有元器件滑道,元器件滑道内侧设有元器件推拉杆。本实用新型把整体半导体元器件快速准确地剪切成小的单个独立的功率电晶体切换式电源半导体元器件,有效地解决了半导体元器件加工的高效率、高精度以及降低产品不良率的需求。
技术领域
本实用新型涉及高功率电晶体切换式电源半导体封装技术领域。
背景技术
现今切换式电源供应器(SMPS)的发展驱势,除了要求效率之外,如何提高密度以及降低产品不良率已成为业界着重的目标。所以产品小型化、封装制程模组化,高功率电晶体的发展以及新式封装在现行高效率架构应用中有很大优势。
传统上功率电晶体的发展,以持续不断地降低导通电阻(RDS(on))及提升切换速度,从而有效地减少导通损耗及切换损耗考量,来自封装的导通电阻占整体导通电阻值比例较低及相对较低切换频率的缘故,相较于低压功率电晶体而言,高压功率电晶体的封装技术发展积极度较低。然而在目前SMPS的高功率密度及高效率要求下,新式功率电晶体不仅必须提升晶粒的效能,新式封装的导入更能够使SMPS实现高效率及高功率密度的目标。
发明内容
为了满足目前要求高效率、高精度以及降低产品不良率的需求,本实用新型提供了一种高功率电晶体切换式电源半导体元器件分离模具。
本实用新型为实现上述目的所采用的技术方案是:一种高功率电晶体切换式电源半导体元器件分离模具,包括下模机构、上模机构和元器件滑动机构,元器件滑动机构安装于下模机构和上模机构之间,下模机构中心处安装下模刀具,下模机构上位于下模刀具两侧安装元器件定位针,下模机构上安装下模导柱;上模机构上安装有与下模刀具位置相对应的上模刀具,上模机构上安装用来控制上模刀具位置的上模刀具导向块和上模导套,下模机构上安装的下模导柱与上模机构上安装的上模导套相互匹配安装,元器件滑动机构设有元器件滑道,元器件滑道内侧设有元器件推拉杆。
所述下模机构和上模机构分别设有2套,每套下模机构与上模机构分别可安装至少一个下模刀具与上模刀具。
下模机构一侧边缘处安装元器件定位针传感器。
本实用新型的一种高功率电晶体切换式电源半导体元器件分离模具,把带有高功率电晶体芯片用绿色环氧树脂封装起来进行有效的保护的整体半导体元器件,快速准确地剪切成小的单个独立的功率电晶体切换式电源半导体元器件,有效地解决了半导体元器件加工的高效率、高精度以及降低产品不良率的需求。
附图说明
图1为本实用新型高功率电晶体切换式电源半导体元器件分离模具整体结构图。
图2为本实用新型高功率电晶体切换式电源半导体元器件分离模具下模机构结构图。
图3为本实用新型高功率电晶体切换式电源半导体元器件分离模具上模机构结构图。
图4为本实用新型高功率电晶体切换式电源半导体元器件分离模具元器件滑动机构结构图。
其中:1-下模机构;2-上模机构;3-元器件滑道;4-元器件滑机构;5-下模刀具;6-元器件定位针;7-元器件定位针传感器;8-下模导柱;9-上模刀具导向块;10-上模刀具;11-上模导套;12-元器件推拉杆;13-元器件。
具体实施方式
本实用新型的图1、2、3、4示出了一种高功率电晶体切换式电源半导体元器件分离模具的结构图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造