[实用新型]一种沉积多晶AlN的常关型HEMT器件有效
| 申请号： | 201920379975.8 | 申请日： | 2019-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN209766426U | 公开（公告）日： | 2019-12-10 |
| 发明（设计）人： | 李国强;陈丁波;刘智崑;万利军 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L21/335 |
| 代理公司： | 44102 广州粤高专利商标代理有限公司 | 代理人： | 何淑珍;江裕强 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 势垒层 栅电极 电极 漏电极 源电极 功率器件 外延硅 衬底 多晶 氮化镓基器件 本实用新型 外延缓冲层 异质结外延 高可靠性 区域形成 重要意义 沉积 制作 生长 应用 | ||
1.一种沉积多晶AlN的常关型HEMT器件，其特征在于，所述HEMT器件的主体采用外延硅衬底上的AlGaN/GaN异质结外延结构，所述AlGaN/GaN异质结外延结构包括由AlN和C掺杂高阻GaN层组成的外延缓冲层，非人为掺杂的GaN沟道层，AlyGa1-yN势垒层，所述外延缓冲层、GaN沟道层和AlyGa1-yN势垒层在外延硅衬底上依次生长形成，在AlyGa1-yN势垒层上制作电极，所述电极包括栅电极、源电极和漏电极，源电极和漏电极分别制作于AlyGa1-yN势垒层上表面的两侧，栅电极制作于AlyGa1-yN势垒层上，位于源电极和漏电极之间；在源电极和栅电极之间、栅电极和漏电极之间的AlyGa1-yN势垒层上电极之外的区域形成一层多晶AlN层；所述HEMT器件为常关型。
2.根据权利要求1所述的一种沉积多晶AlN的常关型HEMT器件，其特征在于，外延缓冲层包括100~200nm的AlN，和1~2μm 的C掺杂高阻GaN层。
3.根据权利要求1所述的一种沉积多晶AlN的常关型HEMT器件，其特征在于， GaN沟道层的厚度为100~300nm。
4.根据权利要求1所述的一种沉积多晶AlN的常关型HEMT器件，其特征在于，AlyGa1-yN势垒层的厚度为5~7nm，y=0.2～0.3。
5.根据权利要求1所述的一种沉积多晶AlN的常关型HEMT器件，其特征在于，在AlyGa1-yN势垒层上源电极和漏电极相应区域沉积Ti/Al/Ni/Au金属电极，制备源电极和漏电极，所述源电极和漏电极在AlyGa1-yN势垒层上形成欧姆接触。
6.根据权利要求1所述的一种沉积多晶AlN的常关型HEMT器件，其特征在于，在AlyGa1-yN势垒层上栅电极区域沉积Ni/Au金属电极，制备栅电极，所述栅电极在AlyGa1-yN势垒层上形成肖特基接触。
7.根据权利要求1所述的一种沉积多晶AlN的常关型HEMT器件，其特征在于，所述多晶AlN层的厚度为100~200nm。
8.根据权利要求5所述的一种沉积多晶AlN的常关型HEMT器件，其特征在于，所述Ti/Al/Ni/Au金属电极中Ti金属层的厚度为10~20nm，Al金属层的厚度为60~150nm，Ni金属层的厚度为30~60nm，Au金属层的厚度为50~100nm。
9.根据权利要求6所述的一种沉积多晶AlN的常关型HEMT器件，其特征在于，所述Ni/Au金属电极中Ni金属层的厚度为30~100nm，Au金属层的厚度为50~100nm。
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