[实用新型]四阶交叉耦合陶瓷电介质滤波器有效
申请号: | 201920390088.0 | 申请日: | 2019-03-26 |
公开(公告)号: | CN209626392U | 公开(公告)日: | 2019-11-12 |
发明(设计)人: | 刘亚东 | 申请(专利权)人: | 苏州捷频电子科技有限公司 |
主分类号: | H01P1/20 | 分类号: | H01P1/20 |
代理公司: | 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙) 32257 | 代理人: | 冯瑞 |
地址: | 215000 江苏省苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 局部导体 滤波器 贯通孔 电路 陶瓷电介质 交叉耦合 介质块 四阶 介质块外表面 本实用新型 延伸导体 耦合导体 耦合 带外抑制 连接电路 内导体层 外导体层 相邻电路 轴线方向 短路面 开放面 连体式 内表面 频段 面形 频点 通带 平行 延伸 开放 | ||
本实用新型公开了一种四阶交叉耦合陶瓷电介质滤波器,包括介质块,介质块上设有四个贯通孔;每个贯通孔的内表面均设有内导体层,平行于贯通孔轴线方向的介质块外表面设有外导体层;贯通孔一端所在介质块外表面设有短路面,其另一端所在介质块外表面形成开放面,开放面上设有电路局部导体层一、电路局部导体层二、电路局部导体层三、电路局部导体层四、耦合延伸导体层和耦合导体层;耦合延伸导体层连接电路局部导体层一和电路局部导体层四;耦合导体层延伸至两个相邻电路局部导体层之间。本实用新型的四阶交叉耦合陶瓷电介质滤波器,能够改善通带外低频侧和高频侧的抑制特性,满足连体式滤波器在特定频点或者特定频段的较高带外抑制要求。
技术领域
本实用新型涉及无线移动通信基站、直放站等设备上使用的陶瓷电介质滤波器,具体涉及一种能够改善通带外低频侧和高频侧抑制特性的四阶交叉耦合陶瓷电介质滤波器。
背景技术
如图1~2所示,现有技术中,四阶连体式陶瓷电介质滤波器具有由陶瓷材料成型的一体式介质块,在该介质块上同方向开设有四个贯通孔,每个贯通孔均构成一个谐振腔。在该介质块的上、下、左、右四个平整的外表面上通过镀银形成外导体层,在每个贯通孔的内表面上通过镀银形成内导体层。在该介质块的后端外表面上镀银形成短路面,短路面使贯通孔内的内导体层与介质块上的外导体层电连接,介质块的前端外表面作为开放面,该开放面上对应每个贯通孔均通过镀银形成电路局部导体层;在该介质的下表面上通过两个条状结构的绝缘区域隔断形成信号输入端子和信号输出端子。该四阶连体式陶瓷电介质滤波器应用在基站或者直放站等设备上时,通过信号输入端子和信号输出端子与基站、直放站的接收电路和发射电路连接。
以上,现有技术中常用的四阶连体式陶瓷电介质滤波器,对于带外抑制有较高要求时不容易满足。以往为了提高带外抑制性能,通常需要在介质块外侧局部加装金属屏蔽罩来改善带外抑制性能,在一些特殊要求中,即使采用这种外接屏蔽措施,特定频点的带外抑制改善效果仍不理想。
发明内容
本实用新型要解决的技术问题是提供一种四阶交叉耦合陶瓷电介质滤波器,能够改善四阶陶瓷电介质滤波器通带外低频侧和高频侧的抑制特性,满足连体式滤波器在特定频点或者特定频段的较高带外抑制要求。
为了解决上述技术问题,本实用新型提供了一种四阶交叉耦合陶瓷电介质滤波器,包括由陶瓷材料成型的一体式介质块,所述介质块上开设有四个贯通孔,所述四个贯通孔的轴线平行、并列;每个所述贯通孔的内表面均设有金属镀层形成内导体层,平行于贯通孔轴线方向的介质块外表面设有金属镀层形成外导体层;所述贯通孔其中一端所在的介质块外表面设有金属镀层形成短路面,所述内导体层和外导体层通过该短路面导电连接;所述贯通孔另一端所在的介质块外表面形成开放面,所述开放面上对应每个贯通孔均设有电路局部导体层,分别为电路局部导体层一、电路局部导体层二、电路局部导体层三和电路局部导体层四;所述介质块上形成外导体层的外表面设有两个绝缘部,所述两个绝缘部将其所在外表面的外导体层隔断形成信号输入端子和信号输出端子;所述开放面上设有耦合延伸导体层和耦合导体层;所述耦合延伸导体层与外导体层之间具有绝缘间隙,所述耦合延伸导体层连接电路局部导体层一和电路局部导体层四,所述耦合延伸导体层与电路局部导体层二、电路局部导体层三之间均具有绝缘间隙;所述耦合导体层具有均与外导体层导电连接的两组,其中一组所述耦合导体层延伸至两个相邻电路局部导体层之间;另一组所述耦合导体层延伸至另一组两个相邻电路局部导体层之间;所述耦合导体层与电路局部导体层一、电路局部导体层二、电路局部导体层三和电路局部导体层四之间均具有绝缘间隙。
本实用新型一个较佳实施例中,进一步包括所述一组耦合导体层延伸至电路局部导体层一和电路局部导体层二之间,另一组耦合导体层延伸至电路局部导体层三和电路局部导体层四之间。
本实用新型一个较佳实施例中,进一步包括所述一组耦合导体层延伸至电路局部导体层一和电路局部导体层二之间,另一组耦合导体层延伸至电路局部导体层二和电路局部导体层三之间。
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