[实用新型]一种半导体结构有效
| 申请号： | 201920393374.2 | 申请日： | 2019-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN209675292U | 公开（公告）日： | 2019-11-22 |
| 发明（设计）人： | 程凯 | 申请（专利权）人： | 苏州晶湛半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 11505 北京布瑞知识产权代理有限公司 | 代理人： | 孟潭<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市苏州工*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体结构 刻蚀停止层 衬底 制备 本实用新型 依次叠加 制造工艺 沟道层 势垒层 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
衬底；
沟道层，位于所述衬底上；
势垒层，位于所述沟道层上；
刻蚀停止层，位于所述势垒层上；以及
p型半导体层，位于所述刻蚀停止层的栅极区域上。
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构进一步包括：
设置于所述p型半导体层上方的栅电极；
设置于所述势垒层的源极区域的源电极；
设置于所述势垒层的漏极区域的漏电极。
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构进一步包括：
所述沟道层与所述衬底之间的成核层；以及
所述成核层与所述沟道层之间的缓冲层。
4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于：
所述刻蚀停止层为Al2O3。
5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于：
所述刻蚀停止层的栅极区域设置有凹槽，所述p型半导体层设置于所述凹槽中。
6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于：
所述势垒层为三明治结构，所述三明治结构从衬底往上依次包括第一外延层、中间层以及第二外延层，其中所述凹槽的底部停止在所述第二外延层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州晶湛半导体有限公司，未经苏州晶湛半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201920393374.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：利用对称性双向划片的单台面高压可控硅芯片
- 下一篇：一种增强型器件
- 同类专利
- 专利分类
